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Anzeige der Artikel nach Schlagwörtern: mosfet

Donnerstag, 12 Mai 2022 12:00

Die CoolSiC MOSFETs von Infineon nutzen einen optimierten Trench-Halbleiterprozess der geringste Verluste in der Anwendung bei höchster Zuverlässigkeit im Betrieb ermöglicht. Diese MOSFETs in den Spannungsklassen 1700, 1200 und 650 V sowie mit Durchlasswiderständen von 27 bis 1000 mΩ sind für Anwendungen wie Photovoltaik-Wechselrichter, Batterieladung, Energiespeicherung, Motorantriebe, USV, Hilfsstromversorgungen und SMPS-Schaltungen vorgesehen.

Rubrik: Free content
Schlagwörter
Dienstag, 10 Mai 2022 12:00

Das neue MOSFET-Relais G3VM-201WR von Omron Electronic Components Europe kombiniert hohe Strombelastbarkeit (200 V / 0,35 A) und einen hohen Umgebungstemperaturbereich mit einer kleinen Montagefläche. Das macht es zu einer hervorragenden Wahl für Test- und Messgeräte. G3VM-201WR ist ein 200-V Ergänzungstyp zum bestehenden MOSFET-Relais-Portfolio des Herstellers. Es bietet ein verbessertes PSON-Design (Small Outline No Lead) mit vier Anschlusspins. Das gewährleistet hohe Wärmeableitung, und die Anschlussform führt zu besseren Lötverbindungen.

Rubrik: Free content
Mittwoch, 17 November 2021 12:00

Die StrongIRFET 2-Leistungs-MOSFETs in Ausführungen 80 und 100 V sind die neueste Generation dieser MOSFET-Technologie von Infineon. Sie eignen sich für ein breites Spektrum von Anwendungen – sowohl für niedrige als auch hohe Schaltfrequenzen. Die neue Technologie bietet einen um 40 % verbesserten Wert für RDS(on) und eine um über 50 % niedrigere Gate-Ladung (Qg) im Vergleich zu den bisherigen StrongIRFET-Bausteinen. Die höhere Leistungseffizienz sorgt für eine verbesserte Gesamt-Systemleistung.

Rubrik: Bauelemente
Dienstag, 25 Mai 2021 11:59

Um ein neues Leistungsmodul mit Keramik-Substrat aus Aluminiumnitrid (AIN) ergänzt Infineon Technologies seine EasyDUAL CoolSiC MOSFET-Familie.

Rubrik: Bauelemente
Donnerstag, 14 Januar 2021 10:59

Ein neues Modell seiner vierten Generation von 600-V-Fast-Body-Diode-MOSFETs der EF-Serie präsentiert Vishay Intertechnology. Der neue n-Kanal-MOSFET SiHH070N60EF bietet im Vergleich zur Vorgängergeneration einen um 29 % geringeren On-Widerstand und eine um 60 % geringere Gate-Ladung. Durch seine hohe Energieeffizienz eignet er sich bestens für Stromversorgungsanwendungen in der Telekommunikation, Industrie und im Computerbereich.

Rubrik: Bauelemente
Mittwoch, 13 Januar 2021 10:59

Jetzt im RS-Sortiment sind die neuen MOSFETs von ON Semiconductor mit einer maximalen Drain-Source-Spannung von 1200 V. Basierend auf der Siliziumkarbid-Technologie sind diese Leistungshalbleiter deutlich leistungsfähiger als äquivalente Silizium-MOSFETs.

Rubrik: Bauelemente
Mittwoch, 14 Oktober 2020 08:59
Infineon unterstützt Entwickler von Leistungselektronik-Systemen für Motorantriebe mit CoolSiC MOSFET Modular Application Design Kits (MADK). Mit einem einfachen Start der Technologie für Anwendern soll die Markteinführung beschleunigt werden. Zur MADK-Plattform für Motoren bis 7,5 kW gehört nun das Evaluierungsboard EVAL-M5-IMZ120R-SIC, eine dreiphasige Wechselrichterplatine, die auf Servoantriebe zielt. Erstmalig bietet Infineon hierfür Details zu Schaltplänen (PDF), Bauteilen (Excel), Layout (Gerber) und Designpaket (Altium) als Download an. So kann das Board auch als Referenzdesign dienen und den Designprozess erleichtern.
Rubrik: Free content

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