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Die CoolSiC MOSFETs von Infineon nutzen einen optimierten Trench-Halbleiterprozess der geringste Verluste in der Anwendung bei höchster Zuverlässigkeit im Betrieb ermöglicht. Diese MOSFETs in den Spannungsklassen 1700, 1200 und 650 V sowie mit Durchlasswiderständen von 27 bis 1000 mΩ sind für Anwendungen wie Photovoltaik-Wechselrichter, Batterieladung, Energiespeicherung, Motorantriebe, USV, Hilfsstromversorgungen und SMPS-Schaltungen vorgesehen.

Das neue MOSFET-Relais G3VM-201WR von Omron Electronic Components Europe kombiniert hohe Strombelastbarkeit (200 V / 0,35 A) und einen hohen Umgebungstemperaturbereich mit einer kleinen Montagefläche. Das macht es zu einer hervorragenden Wahl für Test- und Messgeräte. G3VM-201WR ist ein 200-V Ergänzungstyp zum bestehenden MOSFET-Relais-Portfolio des Herstellers. Es bietet ein verbessertes PSON-Design (Small Outline No Lead) mit vier Anschlusspins. Das gewährleistet hohe Wärmeableitung, und die Anschlussform führt zu besseren Lötverbindungen.

Die StrongIRFET 2-Leistungs-MOSFETs in Ausführungen 80 und 100 V sind die neueste Generation dieser MOSFET-Technologie von Infineon. Sie eignen sich für ein breites Spektrum von Anwendungen – sowohl für niedrige als auch hohe Schaltfrequenzen. Die neue Technologie bietet einen um 40 % verbesserten Wert für RDS(on) und eine um über 50 % niedrigere Gate-Ladung (Qg) im Vergleich zu den bisherigen StrongIRFET-Bausteinen. Die höhere Leistungseffizienz sorgt für eine verbesserte Gesamt-Systemleistung.

Um ein neues Leistungsmodul mit Keramik-Substrat aus Aluminiumnitrid (AIN) ergänzt Infineon Technologies seine EasyDUAL CoolSiC MOSFET-Familie.

Ein neues Modell seiner vierten Generation von 600-V-Fast-Body-Diode-MOSFETs der EF-Serie präsentiert Vishay Intertechnology. Der neue n-Kanal-MOSFET SiHH070N60EF bietet im Vergleich zur Vorgängergeneration einen um 29 % geringeren On-Widerstand und eine um 60 % geringere Gate-Ladung. Durch seine hohe Energieeffizienz eignet er sich bestens für Stromversorgungsanwendungen in der Telekommunikation, Industrie und im Computerbereich.

Jetzt im RS-Sortiment sind die neuen MOSFETs von ON Semiconductor mit einer maximalen Drain-Source-Spannung von 1200 V. Basierend auf der Siliziumkarbid-Technologie sind diese Leistungshalbleiter deutlich leistungsfähiger als äquivalente Silizium-MOSFETs.