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Die CoolSiC MOSFETs von Infineon nutzen einen optimierten Trench-Halbleiterprozess der geringste Verluste in der Anwendung bei höchster Zuverlässigkeit im Betrieb ermöglicht. Diese MOSFETs in den Spannungsklassen 1700, 1200 und 650 V sowie mit Durchlasswiderständen von 27 bis 1000 mΩ sind für Anwendungen wie Photovoltaik-Wechselrichter, Batterieladung, Energiespeicherung, Motorantriebe, USV, Hilfsstromversorgungen und SMPS-Schaltungen vorgesehen.