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Werner Schulz

Werner Schulz

ist Redakteur im Ressort Bauelemente der PLUS. Er arbeitet seit mehr als 40 Jahren als Fachjournalist für Mikroelektronik, Elektronikfertigung, IT und Telecom, davon 25 Jahre als U.S.-Korrespondent in San Francisco und Los Angeles. Interviews mit den Akteuren des Silicon Valley: Forschern, Entwicklern, Gründern, Analysten. Zuvor Chefredakteur der 'elektronik industrie'. Reisen nach Kanada, Mexiko, Japan, Korea, Hong Kong, Taiwan.

Consultant für Wirtschaftsforschungsinstitut CRIS International in Santa Barbara, CA: Industrie-Analysen für National Science Foundation und EU-Kommission. Ab 2007 zurück in Berlin, seit 2013 in München.

Generalthema: die disruptive Marktdynamik emergenter Technologien gegenüber regionalen und sektoralen Partikularinteressen. Extra-kurrikulare Aktivitäten: Portrait- und Straßenfotografie, Film- und Foto-Dokumentationen im Museumskontext.

Geschätzte Lesezeit: 1 - 2 Minuten

Infineon präsentiert die neuen Siliciumkarbid (SiC)-CoolSiC-MOSFETs 650 V im TO-Leadless- (TOLL) Gehäuse. Sie sind für für Anwendungen wie Stromversorgungen, Server, Infrastrukturen für Telekommunikation, Energiespeichersysteme und Batterieformationslösungen optimiert. Die MOSFETs auf Trench-Basis werden in einem granularen Portfolio angeboten, um unterschiedliche Anwendungen abzudecken. Sie werden im JEDEC-qualifizierten TOLL mit niedriger parasitärer Induktivität geliefert. Das erlaubt eine höhere Schaltfrequenz bei geringeren Schaltverlusten, gutes Wärmemanagement sowie automatisierte Montage.

Geschätzte Lesezeit: 1 Minute

NXP Semiconductors, ein Anbieter von Prozessoren für die Automobilindustrie, kooperiert mit dem taiwanesischen Auftragsfertiger TSMC in der Entwicklung des branchenweit ersten Embedded MRAM-Speichers (Magnetic Random Access Memory) in 16-nm FinFET-Technologie. Mit der Umstellung auf software-definierte Fahrzeuge (SDV) müssen die Automobilhersteller mehrere Generationen von Software-Upgrades auf einer einzigen Hardware-Plattform unterstützen. Die Kombination der S32-Prozessoren von NXP mit schnellen nichtflüchtigen Speichern der nächsten Generation bietet eine geeignete Hardware-Plattform für diesen Übergang.

Donnerstag, 14 September 2023 11:59

TSMC kommt nach Dresden

Geschätzte Lesezeit: 3 - 5 Minuten

In Gestalt eines technologisch und regionalpolitisch fein austarierten Joint Ventures mit Infineon, Bosch und NXP verschafft sich der am Weltmarkt führende Chip-Auftragsfertiger TSMC aus Taiwan einen ersten Stützpunkt in Deutschland.

Dienstag, 05 September 2023 10:23

Freudenstädter Unternehmen plant NYSE-Listing

Geschätzte Lesezeit: 1 - 2 Minuten

Die Schmid Group, ein Anbieter von Anlagen, Software und Dienstleistungen für High-End-Leiterplatten, organischen Substraten, Photovoltaik und Energiespeicherung, soll nach dem Zusammenschluss mit der Pegasus Digital Mobility Acquisition Corp. im vierten Quartal 2023 an der New Yorker Börse NYSE gelistet werden.

Geschätzte Lesezeit: 1 - 2 Minuten

Keysight Technologies, ein Anbieter von evolutionären Plattformlösungen für 5G-Advanced- und 6G-Technologien, ermöglicht mit ihrer neuen 6G Vector Component Analysis (VCA) der Universität Stuttgart die Grundlagenforschung neuer integrierter Schaltungen für die 6G-Technologie. Es ist die jüngste Zusammenarbeit einer langjährigen Forschungsbeziehung. Damit konnte die Universität Stuttgart eine vielseitige Multiplexing-Plattform namens ‚Crosslink‘ für synchrone Analysen von Ultrabreitband-Kommunikationskanälen im Zeit- und Frequenzbereich aufbauen.

Montag, 14 August 2023 10:49

TSMC kommt nach Dresden

Geschätzte Lesezeit: 2 - 3 Minuten

‚European Semiconductor Manufacturing Company (ESMC)‘: In Gestalt eines technologisch und regionalpolitisch fein austarierten Joint Ventures mit Infineon, Bosch und NXP verschafft sich der am Weltmarkt führende Chip-Auftragsfertiger TSMC aus Taiwan einen ersten Stützpunkt in Deutschland.

Geschätzte Lesezeit: 1 - 2 Minuten

Yamaichi Electronics profiliert sich als Spezialist für individualisierte Steckverbinder in kundenspezifischen Entwicklungen. „Es besteht wachsender Bedarf an kundenspezifischen Applikationen – insbesondere im Bereich der Steckverbinder“, sagt Benedikt Behr, Produktmanager bei Yamaichi. „Trotz des breiten Spektrums an Standard-Konnektoren ist eine Lösung von der Stange für spezifische Anwendungen oft nur bedingt passend.“

Mittwoch, 16 August 2023 11:59

Derzeit kleinstes Signalrelais auf dem Markt

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Mit dem Typ HFD5 des chinesischen Herstellers Hongfa (Jimei Xiamen), wird das mit 9,0 x 4,8 x 4,9 mm³ aktuell kleinste verfügbare Signalrelais auf dem Markt lieferbar. Es ist das erste der fünften Generation und eignet sich für Anwendungen in den Bereichen Medizintechnik, Test-, Mess- und Prüfsystemen für Kabelbäume.

Geschätzte Lesezeit: 1 - 2 Minuten

Omron präsentiert die neuen NX502 CPU-Automatisierungssteuerungen der NX-Serie mit fortschrittlicher Informations- und Sicherheitskontrolle zeitgleich mit neuen NX-EIP201 EtherNet/IP-Einheiten. Produktionsstandorte streben heute CO2-Neutralität an und achten vermehrt auf ihr ESG-Management (Environmental, Social und Governance). Die neuen NX502 CPUs und NX-EIP201-EtherNet/IP-Einheiten bieten große Speicherkapazität, um Echtzeitanalysen und Modularisierung zu ermöglichen. Damit können Unternehmen nachhaltiger agieren, Abfälle minimieren und Vorlaufzeiten bei Linienwechseln verkürzen.

Geschätzte Lesezeit: 1 - 2 Minuten

Infineon Technologies präsentiert eine neue Generation von 1200-V CoolSiC-MOSFETs im TO263-7-Gehäuse für Automotive-Anwendungen. Die Siliciumkarbid-(SiC)-MOSFETs ermöglichen bidirektionales Laden und tragen zur Reduzierung der Systemkosten in On-Board-Charging (OBC)- und DC-DC-Anwendungen bei. Die 1200-V-Variante der CoolSiC-Familie weist im Vergleich zur ersten Generation 25 % geringere Schaltverluste auf. Das ermöglicht höhere Schaltfrequenzen, höhere Leistungsdichte und kleinere Systemgrößen. Mit einer Gate-Source-Schwellenspannung (VGS(th)) von über 4 V und einem sehr niedrigen Verhältnis zwischen Rückwirkungskapazität (Crss) und Eingangskapazität (Ciss) ermöglicht dies zuverlässiges Abschalten bei VGS = 0 V ohne parasitäre Einschaltvorgänge. Dies lässt unipolare Ansteuerung zu, was die Systemkomplexität und -kosten reduziert. Außerdem verringern sich durch den niedrigen Einschaltwiderstand (RDS(on)) die Leitungsverluste über den gesamten Temperaturbereich von -55 bis 175 °C.

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