Der Weg ist frei fu?r noch kleinere Transistoren

Forschern am Fraunhofer-Institut fu?r Angewandte Festko?rperphysik IAF ist es gelungen, eine neue Art von Transistoren mit extrem hohen Grenzfrequenzen zu entwickeln: Metalloxidhalbleiter-HEMTs, kurz MOSHEMTs. Dafu?r haben sie die Schottky-Barriere des klassischen HEMTs durch ein Oxid ersetzt. Entstanden ist ein Transistor, der noch kleinere und leis- tungsfa?higere Bauteile ermo?glicht und bereits eine Rekordfrequenz von 640 GHz erreicht hat. Diese Technologie soll die Elektronik der na?chsten Generation voranbringen. //
Researchers at the Fraunhofer Institute for Applied Solid State Physics IAF have succeeded in developing a new type of transistor with extremely high cut-off frequencies: Metal Oxide Semiconductor HEMTs, MOSHEMTs for short. For this purpose they have replaced the Schottky barrier of the classical HEMT by an oxide. The result is a transistor that enables even smaller and more powerful components and has already reached a record frequency of 640 GHz. This technology is expected to advance next-generation electronics.