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Neues Material soll Grenzen?der Silicium-Elektronik überwinden

Artikelnummer: PLUS-22564
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Neues Material soll Grenzen?der Silicium
Unter Federführung des Fraunhofer-Instituts für Angewandte Festkörperphysik (IAF), Freiburg, startete jetzt das Projekt ,Erforschung von funktionalen Halbleiterstrukturen für eine energieeffiziente Leistungselektronik‘ (kurz ,Leistungselektronik 2020+‘). Dabei geht es in erster Linie um das noch unerforschte Halbleitermaterial Scandiumaluminiumnitrid (ScAlN). Am IAF, das zu den führenden Forschungseinrichtungen weltweit auf dem Gebiet der III/V-Halbleiter zählt, koordiniert Institutsleiter Prof. Dr. Oliver Ambacher die überregionale Zusammenarbeit im Projekt.//
Under leadership of the Fraunhofer Institute for Applied Solid State Physics (IAF), Freiburg, the project ‚Research into functional semiconductor structures for energy-efficient power electronics‘ (or ‚Power Electronics 2020+‘) has now started. The main focus is on the still unexplored semiconductor material scandium aluminium nitride (ScAlN). IAF is one of the world‘s leading research laboratories in the field of III/V semiconductors. IAF ?s director Prof. Dr. Oliver Ambacher is coordinating the supraregional cooperation in the project.
 
 
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