Werner Schulz
ist Redakteur im Ressort Bauelemente der PLUS. Er arbeitet seit mehr als 40 Jahren als Fachjournalist für Mikroelektronik, Elektronikfertigung, IT und Telecom, davon 25 Jahre als U.S.-Korrespondent in San Francisco und Los Angeles. Interviews mit den Akteuren des Silicon Valley: Forschern, Entwicklern, Gründern, Analysten. Zuvor Chefredakteur der 'elektronik industrie'. Reisen nach Kanada, Mexiko, Japan, Korea, Hong Kong, Taiwan.
Consultant für Wirtschaftsforschungsinstitut CRIS International in Santa Barbara, CA: Industrie-Analysen für National Science Foundation und EU-Kommission. Ab 2007 zurück in Berlin, seit 2013 in München.
Generalthema: die disruptive Marktdynamik emergenter Technologien gegenüber regionalen und sektoralen Partikularinteressen. Extra-kurrikulare Aktivitäten: Portrait- und Straßenfotografie, Film- und Foto-Dokumentationen im Museumskontext.
1200-V CoolSiC Trench-MOSFETs für die E-Mobilität
Infineon Technologies präsentiert eine neue Generation von 1200-V CoolSiC-MOSFETs im TO263-7-Gehäuse für Automotive-Anwendungen. Die Siliciumkarbid-(SiC)-MOSFETs ermöglichen bidirektionales Laden und tragen zur Reduzierung der Systemkosten in On-Board-Charging (OBC)- und DC-DC-Anwendungen bei. Die 1200-V-Variante der CoolSiC-Familie weist im Vergleich zur ersten Generation 25 % geringere Schaltverluste auf. Das ermöglicht höhere Schaltfrequenzen, höhere Leistungsdichte und kleinere Systemgrößen. Mit einer Gate-Source-Schwellenspannung (VGS(th)) von über 4 V und einem sehr niedrigen Verhältnis zwischen Rückwirkungskapazität (Crss) und Eingangskapazität (Ciss) ermöglicht dies zuverlässiges Abschalten bei VGS = 0 V ohne parasitäre Einschaltvorgänge. Dies lässt unipolare Ansteuerung zu, was die Systemkomplexität und -kosten reduziert. Außerdem verringern sich durch den niedrigen Einschaltwiderstand (RDS(on)) die Leitungsverluste über den gesamten Temperaturbereich von -55 bis 175 °C.
GCF-validierte 5G-RedCap-Konformitäts-Testfälle
Sam Crossley hat neue Position im Bereich Mikroskopie und Messtechnik
Vision Engineering, Hersteller von Mikroskopen und Messsystemen in Woking (Grossbritannien) mit deutscher Niederlassung in Emmering, ernennt Sam Crossley zum Managing Director. Crossley hat als ehemaliges Mitglied des Führungsteams von Rotork fundierte Marktkenntnisse in Petrochemie, Bergbau und Automatisierung.
Neue Sensorik und Analytik für 3D AOI
Auf der SMTconnect 2023 in Nürnberg zeigte die Viscom AG eine Reihe signifikanter Neuheiten auf dem Feld der Analytik und des Testens von Baugruppen und Systemen – unter anderem das System ‚iS6059 PCB Inspection Plus' als Nachfolger des bekannten ‚S3088 ultra gold'.
Effizientere Schaltnetzteile bei 650-V SiC-Schottky-Dioden
Vishay Intertechnology stellt derzeit 17 neue 650-V SiC-Schottky-Dioden der Generation 3 vor. Sie zeichnen sich durch ein Merged-PIN Schottky-Design (MPS) aus und kombinieren hohe Stoßstromfestigkeit mit niedriger Vorwärtsspannung, geringer kapazitiver Ladung und kleinem Sperrstrom, um die Effizienz und Zuverlässigkeit in Schaltnetzteil-Designs zu erhöhen. Diese SiC-Dioden kommen als Versionen mit 4bis 40A im TO-22OAC 2L und TO-247AD 3L für Durchsteckmontage sowie D2PAK 2L (TO-263AB 2L) für Oberflächenmontage. Die MPS-Struktur reduziert die Vorwärtsspannung um 0,3V im Vergleich zur vorherigen Generation, während das Produkt aus Vorwärtsspannung und kapazitiver Ladung um 17% geringer ist.
E-mode GaN-FETs für Nieder- und Hochspannung
Der niederländische Chiphersteller Nexperia stellte Anfang Mai seine ersten Power-GaN-FETs in E-Mode-Konfiguration (Enhancement Mode) für Nieder- (100/150 V) und Hochspannungsanwendungen (650 V) vor. Die Erweiterung des Kaskoden-Angebots um sieben neue E-Mode-Bauelemente bietet neben dem umfangreichen Portfolio an silizium-blasierten Leistungselektronik-Bauelementen nun eine Auswahl an GaN-FETs.
Neue 650-V GaN-HEMTs tragen zur Miniaturisierung bei
Rohm Semiconductor hat die Serienfertigung der 650-V GaN (Galliumnitrid) HEMTs GNP1070TC-Z und GNP1150TCA-Z aufgenommen. Sie wurden mit Ancora Semiconductors, Tochtergesellschaft von Delta Electronics, entwickelt. Sie bieten Effizienzsteigerung und Miniaturisierung in Stromversorgungssystemen, einschließlich Servern und Netzteilen.
Nach dem Corona-High: Chipmärkte pausieren – Für 2023 wird ein zweistelliger Rückgang erwartet
Gar nicht so einfach, sich ein konsistentes Bild über den weiteren Verlauf des weltweiten Halbleitermarkts zu verschaffen: Mehrere Prognosen von Analysten und offiziellen Quellen der Industrie kommen zu unterschiedlichen Einschätzungen. Und diese differieren erheblich.
Allzeithoch für Robotik und Automation
Komplementäre Erweiterung der Geschäftsfelder für Steuerungen und Regelungen
Prüfrex übernimmt 100% der Anteile von mikrolab, einem Entwicklungs- und Produktionsdienstleister für Elektroniksysteme aus Fürth. Mit der strategischen Akquisition erweitert Prüfrex seine Geschäftsfelder und festigt seine Position als führender Anbieter von Lösungen für die Elektronikentwicklung und -produktion.