Die Struktur des sehr stabilen metallorganischen Komplexes hat Gallium im Zentrum, das von drei Acetylacetonat-Liganden umgeben ist. Durch Erhitzen und damit einhergehender Zersetzung kann Ga(acac)3 des Anbieters zur Herstellung einer hochreinen und gleichmäßigen Dünnschichtversion von Galliumoxid (Ga2O3) verwendet werden. Diese Version eignet sich aufgrund ihres extrem großen Bandabstands (ca. 4,8 eV) insbesondere als Halbleiter in der Leistungselektronik. Durch Kombination mit Schwefel lassen sich Galliumsulfid (Ga2S3) Quantenpunkte mit einem Bandabstand von ca. 3,3 eV generieren. Typische Anwendungsbereiche sind hier Photonik und Optoelektronik.
Ga(acac)3 dient außerdem als thermisch stabiler Ersatz für Trimethylgallium (TMG) in Hochtemperatur-Abscheidungsprozessen. Es zersetzt sich bei höheren Temperaturen und ist, im Gegensatz zu TMG, nicht pyrophor und damit sicherer in der Handhabung.
