El IGBT de 650 V mejora el factor de potencia

El IGBT de 650 V mejora el factor de potencia

Toshiba Electronics Europe suministra un nuevo IGBT de 650 V para aplicaciones de corrección del factor de potencia. Esto afecta a la electrónica de consumo, como los aparatos de aire acondicionado y otros electrodomésticos, y también se aplica a la electrónica industrial. El GT30J65MRB es un IGBT de canal N con una corriente nominal de 60 A en un encapsulado TO-3P(N). Se basa en la última generación de IGBT de Toshiba con una estructura de zanja interna optimizada.

Esto reduce significativamente las pérdidas de conmutación a 0,35 mJ a 175 ºC. Esto supone una mejora del 40 % en comparación con la generación anterior. La tensión directa del diodo incorporado es de sólo 1,20 V, lo que mejora la eficiencia de los dispositivos finales conectados.

Con los IGBT anteriores, la etapa PFC (productos químicos polifluorados) de los aparatos de aire acondicionado funcionaba a una frecuencia inferior a 40 kHz. Con la menor pérdida de conmutación del nuevo GT30J65MRB, esta frecuencia puede aumentarse a 60 kHz. Además de mejorar la eficiencia, esto permite reducir el tamaño y el peso de los elementos pasivos utilizados.

  • Edición: Januar
  • Año: 2020
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