FET de GaN en modo E para baja y alta tensión

FET de GaN en modo E para baja y alta tensión

El fabricante holandés de chips Nexperia presentó a principios de mayo sus primeros FET de GaN de potencia en configuración E-mode (modo de mejora) para aplicaciones de baja tensión (100/150 V) y alta tensión (650 V). La ampliación de la gama cascode con siete nuevos componentes E-mode ofrece ahora una selección de FET de GaN que se suma a la amplia cartera de componentes de electrónica de potencia basados en silicio.

La nueva gama incluye cinco FET de GaN en modo E de 650 V con RDS(on) entre 80 y 190 mΩ en encapsulados DFN de 5 x 6 mm y 8 x 8 mm. Optimizan la eficiencia de la conversión de potencia en aplicaciones de alta y baja tensión para transmisión de datos y telecomunicaciones, aplicaciones de consumo, sistemas solares, motores de corriente continua y servomotores de precisión con mayor par y potencia.

Nexperia ofrece ahora también un FET GaN de 100 V (3,2 mΩ) en el encapsulado WLCSP8 y un dispositivo de 150 V (7 mΩ) en el FCLGA. Son adecuados para aplicaciones de bajo voltaje y alta potencia, como la conversión DC-DC eficiente en centros de datos, la carga rápida (e-mobility y USB-C), pequeños transceptores LiDAR, amplificadores de audio de clase D de bajo ruido y dispositivos de mayor densidad de potencia como teléfonos móviles, ordenadores portátiles y consolas de juegos.El rendimiento de conmutación de los FET GaN en modo E de Nexperia se debe a valores muy bajos de Qg y QOSS, mientras que su bajo RDS(on) permite diseños de eficiencia energética.

Con las nuevas versiones de producto, Nexperia ofrece así una amplia gama de FETs de GaN para una gran variedad de aplicaciones de potencia. Los FET de GaN en modo E se fabrican en una línea de obleas de 8 pulgadas para aumentar la capacitancia. Están cualificados para aplicaciones industriales según la norma JEDEC. Nexperia es una empresa mundial de semiconductores con sede en los Países Bajos. Sus productos son reconocidos como la referencia en eficiencia en términos de fabricación, tamaño, consumo de energía y rendimiento, con certificación IATF 16949, ISO 9001, ISO 14001 e ISO 45001.

  • Edición: Januar
  • Año: 2020
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