STMicroelectronics (ST), fabricante europeo de dispositivos semiconductores y circuitos integrados (CI), anuncia la construcción de una nueva planta de fabricación de carburo de silicio de 200 mm para dispositivos y módulos de potencia, así como para fines de prueba y embalaje en Catania, Italia. El establecimiento del nuevo campus de carburo de silicio dará soporte a los clientes de dispositivos SiC en los sectores de automoción, industrial y de infraestructuras en la nube.
Como centro del ecosistema global de SiC de ST, el campus integra todas las fases de producción. Esto permitirá la producción en masa de obleas de SiC de 200 mm por primera vez en Europa, utilizando tecnologías de 200 mm en cada paso del proceso: sustrato, epitaxia, front-end y back-end. Está previsto que la nueva planta entre en funcionamiento en 2026. Se prevé que la inversión total ronde los 5.000 millones de euros, de los que el Gobierno italiano aportará unos 2.000 millones en el marco de la ley europea del chip.
Catania es desde hace tiempo un importante centro de innovación para ST, ya que alberga las mayores instalaciones de investigación y fabricación de SiC, que han contribuido al desarrollo de nuevas soluciones para la producción de dispositivos de SiC. En el campo de la electrónica de potencia, incluida la colaboración entre ST y la Universidad de Catania y el CNR (Consejo Nacional de Investigación italiano), así como una amplia red de proveedores, esta inversión reforzará el papel de Catania como centro mundial de excelencia para la tecnología SiC y para nuevas oportunidades de crecimiento.
Actualmente, ST también fabrica sus productos de SiC en Ang Mo Kio, Singapur, y en una empresa conjunta con "Sanan Optoelectronics" en Chongqing, China. El montaje y las pruebas de los productos de carburo de silicio de ST se llevan a cabo en las instalaciones de pruebas de montaje de chips de Bouskoura (Marruecos) y Shenzhen (China).
