Nanocables bajo tensión, base de los transistores ultrarrápidos

Nanocables bajo tensión, base de los transistores ultrarrápidos

Los nuevos conceptos basados en nanocables semiconductores pretenden mejorar y hacer más eficientes los transistores de los circuitos microelectrónicos. Cuanto más rápido puedan acelerarse los electrones de los minúsculos hilos, más rápido podrá conmutar un transistor y menos energía necesitará.

Un equipo de investigadores del Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf (HZDR), la Universidad Técnica de Dresde y NaMLab gGmbH ha logrado demostrar experimentalmente que la movilidad de los electrones en los nanohilos aumenta de forma significativa cuando la cubierta energiza el núcleo del hilo.

Esto se consiguió con nanocables formados por un núcleo de arseniuro de galio y una vaina de arseniuro de indio y aluminio. Las estructuras cristalinas de la vaina y el núcleo tienen espaciamientos de red ligeramente diferentes. Como resultado, la vaina ejerce una gran tensión mecánica sobre el núcleo, mucho más delgado. El arseniuro de galio del núcleo cambia sus propiedades electrónicas, los electrones se hacen más "ligeros" y móviles, por así decirlo. El equipo pudo demostrar que los electrones del núcleo de los hilos investigados se mueven alrededor de un 30 % más rápido a temperatura ambiente que en nanocables comparables sin tensión o materiales de película fina de arseniuro de galio.

  • Edición: Januar
  • Año: 2020
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