La nueva plataforma MOSFET de alto rendimiento de Nexperia está disponible en un encapsulado LFPAK con clip de cobre para tensiones de 25 V, 30 V y 40 V.
Los componentes, que pueden utilizarse para fuentes de alimentación y muchas otras aplicaciones de potencia, se basan en la tecnología de superunión del fabricante. Además, funcionan de forma sincrónica, lo que significa que pueden alcanzarse altos valores de VDmax o corriente de drenaje máxima (IDmax) y una capacidad de corriente continua de hasta 425 A para cada aplicación. De este modo, la nueva serie ofrece MOSFETs de alto rendimiento sin concesiones y de gran fiabilidad, según Nexperia. Los MOSFET de potencia son un componente indispensable de las fuentes de alimentación conmutadas y los inversores, ya que permiten un control preciso del flujo de corriente. En su sitio web, el fabricante ha facilitado documentación detallada y asistencia adicional para la selección de las variantes adecuadas, así como directrices para el diseño térmico apropiado del módulo.
