Infineon Technologies präsentiert eine neue Generation von 1200-V CoolSiC-MOSFETs im TO263-7-Gehäuse für Automotive-Anwendungen. Die Siliciumkarbid-(SiC)-MOSFETs ermöglichen bidirektionales Laden und tragen zur Reduzierung der Systemkosten in On-Board-Charging (OBC)- und DC-DC-Anwendungen bei. Die 1200-V-Variante der CoolSiC-Familie weist im Vergleich zur ersten Generation 25 % geringere Schaltverluste auf. Das ermöglicht höhere Schaltfrequenzen, höhere Leistungsdichte und kleinere Systemgrößen. Mit einer Gate-Source-Schwellenspannung (VGS(th)) von über 4 V und einem sehr niedrigen Verhältnis zwischen Rückwirkungskapazität (Crss) und Eingangskapazität (Ciss) ermöglicht dies zuverlässiges Abschalten bei VGS = 0 V ohne parasitäre Einschaltvorgänge. Dies lässt unipolare Ansteuerung zu, was die Systemkomplexität und -kosten reduziert. Außerdem verringern sich durch den niedrigen Einschaltwiderstand (RDS(on)) die Leitungsverluste über den gesamten Temperaturbereich von -55 bis 175 °C.

Rohde & Schwarz hat beim 74. Treffen der Conformance Agreement Group (CAG) erfolgreich 5G-RedCap-Testfälle (Reduced Capability) für seinen R&S CMX500 One-Box-Signalisierungstester und das R&S TS8980 Konformitäts-Testsystem validiert.

Vision Engineering, Hersteller von Mikroskopen und Messsystemen in Woking (Grossbritannien) mit deutscher Niederlassung in Emmering, ernennt Sam Crossley zum Managing Director. Crossley hat als ehemaliges Mitglied des Führungsteams von Rotork fundierte Marktkenntnisse in Petrochemie, Bergbau und Automatisierung.

Auf der SMTconnect 2023 in Nürnberg zeigte die Viscom AG eine Reihe signifikanter Neuheiten auf dem Feld der Analytik und des Testens von Baugruppen und Systemen – unter anderem das System ‚iS6059 PCB Inspection Plus' als Nachfolger des bekannten ‚S3088 ultra gold'.

Vishay Intertechnology stellt derzeit 17 neue 650-V SiC-Schottky-Dioden der Generation 3 vor. Sie zeichnen sich durch ein Merged-PIN Schottky-Design (MPS) aus und kombinieren hohe Stoßstromfestigkeit mit niedriger Vorwärtsspannung, geringer kapazitiver Ladung und kleinem Sperrstrom, um die Effizienz und Zuverlässigkeit in Schaltnetzteil-Designs zu erhöhen. Diese SiC-Dioden kommen als Versionen mit 4bis 40A im TO-22OAC 2L und TO-247AD 3L für Durchsteckmontage sowie D2PAK 2L (TO-263AB 2L) für Oberflächenmontage. Die MPS-Struktur reduziert die Vorwärtsspannung um 0,3V im Vergleich zur vorherigen Generation, während das Produkt aus Vorwärtsspannung und kapazitiver Ladung um 17% geringer ist.

Der niederländische Chiphersteller Nexperia stellte Anfang Mai seine ersten Power-GaN-FETs in E-Mode-Konfiguration (Enhancement Mode) für Nieder- (100/150 V) und Hochspannungsanwendungen (650 V) vor. Die Erweiterung des Kaskoden-Angebots um sieben neue E-Mode-Bauelemente bietet neben dem umfangreichen Portfolio an silizium-blasierten Leistungselektronik-Bauelementen nun eine Auswahl an GaN-FETs.

Rohm Semiconductor hat die Serienfertigung der 650-V GaN (Galliumnitrid) HEMTs GNP1070TC-Z und GNP1150TCA-Z aufgenommen. Sie wurden mit Ancora Semiconductors, Tochtergesellschaft von Delta Electronics, entwickelt. Sie bieten Effizienzsteigerung und Miniaturisierung in Stromversorgungssystemen, einschließlich Servern und Netzteilen.

Gar nicht so einfach, sich ein konsistentes Bild über den weiteren Verlauf des weltweiten Halbleitermarkts zu verschaffen: Mehrere Prognosen von Analysten und offiziellen Quellen der Industrie kommen zu unterschiedlichen Einschätzungen. Und diese differieren erheblich.

Die industrielle Sparte der deutschen Robotik und Automation liefert laut dem Verband Deutscher Maschinen- und Anlagenbau (VDMA) einen aktuellen Rekord. Die Branche prognostiziert für 2023 eine Umsatzsteigerung von 13 % auf 16,2 Mrd. €.

Prüfrex übernimmt 100% der Anteile von mikrolab, einem Entwicklungs- und Produktionsdienstleister für Elektroniksysteme aus Fürth. Mit der strategischen Akquisition erweitert Prüfrex seine Geschäftsfelder und festigt seine Position als führender Anbieter von Lösungen für die Elektronikentwicklung und -produktion.