Infineon Technologies ha añadido un nuevo módulo de potencia con sustrato cerámico de nitruro de aluminio (AIN) a su familia de MOSFET EasyDUAL CoolSiC.
Los componentes están disponibles en una configuración de medio puente con una resistencia hacia delante (R DS(on)) de 11 mΩ en un encapsulado EasyDUAL-1B y con 6 mΩ en un encapsulado -2B. Las propiedades mejoradas de la cerámica de alto rendimiento hacen que los módulos de 1200 V sean adecuados para aplicaciones de alta densidad de potencia, como sistemas solares, sistemas de alimentación ininterrumpida, convertidores de potencia auxiliares, sistemas de almacenamiento de energía y estaciones de carga para vehículos eléctricos.
Los módulos están equipados con la última tecnología CoolSiC MOSFET, que presenta una excelente fiabilidad del óxido de puerta. Gracias a la conductividad térmica mejorada del material DCB, la resistencia térmica al disipador de calor (R thJH) puede reducirse hasta un 40 %. En combinación con los módulos CoolSiC Easy, la nueva cerámica AlN mejora la potencia de salida o reduce las temperaturas de unión. Esto significa que se puede conseguir una mayor vida útil del sistema. Los nuevos módulos ya están disponibles.
