La última generación de módulos DRAM DDR4 de ATP Electronics para aplicaciones empresariales e industriales permite aumentar la frecuencia de reloj máxima con una velocidad de transferencia de datos de hasta 3200 MT/s (megatransferencias o106 transferencias por segundo). Están disponibles con capacidades de 4 a 128 GB. La tensión de alimentación es de 1,2 V. El alto rendimiento con un menor consumo de energía permite aplicaciones en infraestructuras de telecomunicaciones, almacenamiento en red, servidores de almacenamiento conectado a red (NAS), servidores micro/cloud y sistemas integrados como PC industriales. Los módulos de la antigua serie DDR3 combinan una velocidad de transferencia de hasta 1866 MT/s con tensiones de alimentación de 1,5 y 1,35 V.
Opcionalmente, se ofrece una película de recubrimiento compatible con la aplicación para proteger los módulos contra el polvo, la humedad, la corrosión, los productos químicos y las temperaturas extremas. Las resistencias antiazufre evitan los efectos de la contaminación por azufre. Un recubrimiento de dedos de oro con un grosor de 30 µm y la placa de circuito impreso con entre seis y diez capas de ensamblajes PCBA garantizan la fiabilidad mecánica y la durabilidad de los módulos. Para aplicaciones industriales, también está disponible una resistencia a la temperatura opcional de -40 a 95 °C. Estos módulos DRAM suelen instalarse en entornos de alto rendimiento, como centros de datos, y en lugares de difícil acceso. Aquí, el procesamiento ininterrumpido de datos es esencial. ATP Electronics es un proveedor líder de módulos de memoria NAND flash y DRAM de alto rendimiento y alta calidad.
