Las sesiones de la conferencia ofrecen más de 400 presentaciones sobre temas como SiC MOSFET, envasado, diseño de convertidores, monitorización y pruebas, prototipado virtual, IGBT, tecnologías de semiconductores, componentes pasivos y gestión térmica. A continuación presentamos una selección de interesantes presentaciones del extenso programa, que puede leerse íntegramente en el sitio web de PCIM.
- Martes, 6 de mayo de 2025, 11:00 - 12:00,
Bruselas 1, NCC Mitte
- Sesión: SiC MOSFET
La sesión de una hora sobre transistores de efecto de campo basados en carburo de silicio (SiC MOSFET) estará presidida por el Prof. Dr. Thomas Basler, Director de la Facultad de Ingeniería Eléctrica y Tecnología de la Información de la Universidad Tecnológica de Chemnitz. Hidetaka Matsuo, de Mitsubishi Electric, hablará de los resultados de las pruebas corriente-voltaje para investigar la degradación bipolar de los módulos MOSFET de SiC y el uso seguro de diodos de cuerpo de alta fiabilidad. Las pruebas de fiabilidad se realizaron en 477.520 MOSFET SiC planares de segunda generación y confirmaron que la probabilidad de deriva VDS(on) está dentro de 100 ppm para módulos de 600 A.
Shunsuke Asaba, de Toshiba, también habla del comportamiento dinámico de la incrustación de SBD en MOSFET de SiC con estructura de puerta planar cuando se producen altas temperaturas. Y Ainhoa Puyadena Mier, de Infineon Technologies Austria, explicará en su ponencia cómo podrían mejorarse la eficiencia y la vida útil de los MOSFET mediante la tecnología de interconexión CoolSiC M2 Easy C y XT de 1200 V de su empresa.
Prof. Dr. Thomas Basler (Imagen: mesago)
- Miércoles, 7 de mayo, 12:50 - 13:10,
Technology Stage, Pabellón 4, Stand 435
- Presentación: Superficies adhesivas de alambre en electrónica de potencia (PLUS Insights)
Stefan Schmitz, Director General de BOND-IQ, Berlín, habla de la importancia que sigue teniendo la unión de cables, indispensable en la electrónica de potencia a pesar de la miniaturización y el aumento del rendimiento. Las superficies de unión de cables deben ofrecer una combinación óptima de conductividad eléctrica, estabilidad mecánica y resistencia a los procesos de envejecimiento y corrosión. En su conferencia, se presentarán las metalizaciones más importantes establecidas industrialmente para la unión de alambres, incluyendo Ni/Au químico (ENIG), Ni/Pd/Au químico (ENEPIG), capas electrodepositadas y unión directa de cobre (DCB) sobre sustratos cerámicos. Además de los emparejamientos de materiales, se discutirán las fuentes típicas de defectos y sus efectos en la calidad de la unión, y se mostrarán los factores que influyen en la vida útil y la fiabilidad del proceso.
- La conferencia está presentada por nuestra revista especializada y va dirigida a expertos de la producción electrónica, científicos de materiales y partes interesadas de la investigación y el desarrollo.
Stefan Schmitz (Imagen: BOND-IQ)
- Jueves, 8 de mayo, 12:30 - 12:50 pm,
E-Mobility & Energy Storage Stage, Escenario,
Pabellón 6, Stand 220
- Presentación: Mejora de los sistemas xEV con soluciones de semiconductores analógicos
Kathleen Gao, NOVOSENSE Microelectronics, presentará las nuevas tendencias en e-automovilidad desde la perspectiva de las soluciones de semiconductores analógicos, centrándose en la iteración de productos y tecnologías de los sistemas de propulsión y control de carrocerías de los vehículos eléctricos. Se debatirán importantes innovaciones en la tecnología de semiconductores para automoción, especialmente en el campo de los dispositivos de aislamiento y controladores de puerta. Una conferencia en la interfaz entre tecnología eléctrica y energética que merecerá la pena.
Kathleen Gao (Imagen: mesago)
