Para que los sistemas microelectromecánicos (MEMS) sean aún más potentes en el futuro, investigadores del Instituto Fraunhofer de Tecnología Láser ILT de Aquisgrán han desarrollado un proceso de recubrimiento y cristalización láser compatible con CMOS en colaboración con el Fraunhofer ISIT y el IST. A diferencia de los métodos convencionales, este proceso prescinde de cables y uniones soldadas, lo que puede reducir considerablemente el tamaño de los componentes y aumentar el rendimiento de los sensores.
Como alternativa a las técnicas de unión convencionales, el Fraunhofer ILT confía en un proceso basado en láser que permite construir sensores MEMS de silicio cristalino directamente (monolíticamente) sobre los circuitos sensibles a la temperatura. La cristalización a alta temperatura mediante radiación láser por debajo del punto de fusión del silicio se produce de forma selectiva y muy rápida, de modo que no se daña el circuito subyacente. Están surgiendo aplicaciones interesantes de este nuevo proceso en la industria automovilística, la tecnología médica y el servicio de bomberos.
