Pascal Friederich, Tenure-Track-Professor am Karlsruher Institut für Technologie (KIT), erhält den Heinz Maier-Leibnitz-Preis der Deutschen Forschungsgemeinschaft (DFG). Der mit 20.000 Euro dotierte Preis gilt als die wichtigste Auszeichnung für den wissenschaftlichen Nachwuchs in Deutschland. In seiner interdisziplinär ausgerichteten Arbeit konzentriert sich Pascal Friederich auf den Einsatz Künstlicher Intelligenz in der…

Plasma-Quenching für die Bildung von Nanopartikeln nutzt in Sputterprozessen eine zyklische Erhöhung des herrschenden Drucks in der Vakuumkammer. Im Falle von Kohlenstoff (C) konnte dabei unter Nutzung einer Industrie-typischen Magnetron-Sputteranlage und Kathodenzerstäuben (Sputtern) eine signifikante Reduktion der Reibzahlen auf verschiedenen Substraten erreicht werden. Während Teil 1 Vorüberlegungen sowie einen Teil…

Neue Konzepte auf der Basis von Halbleiter-Nanodrähten sollen Transistoren in mikroelektronischen Schaltkreisen besser und effizienter machen. Je schneller die Elektronen in den winzigen Drähten beschleunigen können, desto schneller kann ein Transistor schalten und desto weniger Energie benötigt er.

Plasma-Quenching für die Bildung von Nanopartikeln nutzt in Sputterprozessen eine zyklische Erhöhung des herrschenden Drucks in der Vakuumkammer. Im Falle von Kohlenstoff (C) konnte dabei unter Nutzung einer Industrie-typischen Magnetron-Sputteranlage und Kathodenzerstäuben (Sputtern) von Molybdändisulfid-Targets (MoS2) in Acetylen-Atmosphäre (C2H2) sowie technisch einfacher Reduktion der Saugleistung der Hochvakuumpumpe über ein Schieberventil…

Das niederländische Unternehmen Sald BV (Eindhoven) will sich mit der Technologie der „Spatial Atomic Layer Deposition“ (SALD) auf drei Märkte fokussieren: effiziente Solarzellen, ausdauernde Batterien und umweltfreundliche Verpackungen. Das Unternehmen hat mit SALD ein patentiertes Verfahren entwickelt, im industriellen Maßstab Beschichtungen aufzutragen, die so dünn sind wie ein einziges Atom.

Elektronik der Zukunft ist ohne zweidimensionale Materialien undenkbar. Ihre einzigartigen Eigenschaften erschweren aber ihre Dotierung mit Fremdatomen. Dieser Schritt ist aber notwendig, um die elektrische Leitfähigkeit präzise einzustellen und das Material in einen p- oder n-Typ-Halbleiter zu verwandeln.