Für hart und resonant schaltende Topologien

Die in diskreten Gehäusen eingebauten MOSFETs eignen sich für Leistungsfaktor-Korrekturschaltungen (PFC), bidirektionale Topologien und DC-DC-Wandler oder auch DC-AC-Wechselrichter. Sie bieten ausgezeichnete Immunität gegen unerwünschte parasitäre Einschalteffekte und niedrige dynamische Verluste, selbst bei Null Volt Abschaltspannung in Brückentopologien. Mit der CoolSiC Trench-Technologie wird ein flexibler Parametersatz ermöglicht, der für die Implementierung anwendungsspezifischer Merkmale in das jeweilige Produktportfolio genutzt wird:

• Die 650-V CoolSiC MOSFETs bieten optimiertes Schaltverhalten bei hohen Strömen und geringen Kapazitäten. Sie sind für industrielle Anwendungen wie Server, Telekommunikation und Motorantriebe konzipiert.
• Das 1200-V MOSFET-Sortiment ist für industrielle und automotive Anwendungen wie On-Board-Ladegeräte/PFC, Hilfsinverter und unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV) geeignet.
• Die Flyback-Typologie charakterisiert die 1700 V-
  Variante, die sie für den Einsatz in Energiespeichersystemen, zum schnellen Aufladen von Elektrofahrzeugen, für das Leistungsmanagement (SMPS) und für Lösungen für Solarenergiesysteme prädestiniert.