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Der Halbleiter Galliumoxid ist wegen seiner ultrabreiten Bandlücke ein aussichtsreicher Kandidat für einen möglichen Einsatz in der Leistungselektronik. Eine industriell nutzbare Technologie zur kontrollierten Herstellung des Materials ist jedoch noch nicht in Sicht. Das liegt vor allem an seiner Fülle an möglichen Kristallstrukturen, die gleichzeitig nebeneinander vorkommen können und die sich in ihren für die Halbleiterindustrie relevanten Eigenschaften zum Teil deutlich voneinander unterscheiden.

Der Metalloxid-Halbleiter Galliumoxid gilt als aussichtsreicher Kandidat für einen möglichen Einsatz in der Leistungselektronik. Die gezielte Beeinflussung seiner elektrischen Leitfähigkeit war aber bisher problematisch. Ein Forschungsteam unter Beteiligung des Helmholtz-Zentrums Dresden-Rossendorf (HZDR) hat nun untersucht, wie sich die Leitfähigkeit von Galliumoxid in seiner stabilsten Form (β-Ga2O3) über den kontrollierten Einbau von Wasserstoff in das Kristallgitter steuern lässt.