Displaying items by tag: schaltgeschwindigkeit
Wednesday, 13 January 2021 10:59
Jetzt im RS-Sortiment sind die neuen MOSFETs von ON Semiconductor mit einer maximalen Drain-Source-Spannung von 1200 V. Basierend auf der Siliziumkarbid-Technologie sind diese Leistungshalbleiter deutlich leistungsfähiger als äquivalente Silizium-MOSFETs.
Published in
Bauelemente
Tagged under