Die RCD2-IGBTs sind mit Silicon-on-Insulator (SOI) Gate-Treiber kombiniert, was eine geringe Verlustleistung des Systems ermöglicht. Die Konfiguration des dreiphasigen Wechselrichters mit offenen Emittern ist in einem DIP-Gehäuse 36 x 21 mm integriert. Dies ist an Leistungsanwendungen angepasst, die gute Wärmeleitung und elektrische Isolierung erfordern. Die Serie weist geringste Schaltverluste auf und bietet insbesondere bei Anwendungen mit hoher Schaltfrequenz eine hohe Energieeffizienz.
Die Bausteine sind in Stromstärken von 6 bis 17 A und mit einer Durchbruchspannung von 600 V erhältlich. Ein UL-zertifizierter NTC-Thermistor zur Temperaturüberwachung, eine Unterspannungssperre (UVLO) an allen Kanälen und Überstromschutzfunktionen (OCP) erhöhen die Systemzuverlässigkeit. Gehäuse und Vergussmasse bieten Widerstandsfähigkeit gegenüber Feuchtigkeit. Die IPMs sind außerdem mit einer Bootstrap-Schaltung ausgelegt, die das Leiterplattenlayout vereinfacht. Das Gehäuse im Industriestandard ermöglicht die einfache und schnelle Designkonvertierung bestehender Mini-IPMs (P2P) ohne PCB-Redesign, was die Markteinführung verkürzt.
