Mittwoch, 17 April 2024 11:59

SiC-MOSFETs bieten Durchbruchspannung von 2000 Volt DC

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CoolSiC MOSFET 2000 V im TO-247PLUS-4-HCC-Gehäuse Bild: Infineon

Infineon Technologies hat die CoolSiC MOSFETs 2000V im TO-247PLUS-4-HCC-Gehäuse neu auf den Markt gebracht. Das Unternehmen bedient damit die Nachfrage nach einer höheren Leistungsdichte. Die Bauteile im TO-247PLUS-4-HCC-Gehäuse bieten eine Kriechstrecke von 14 mm und eine Luftstrecke von 5,4 mm. Sie liefern eine Benchmark-Gate-Schwellenspannung von 4,5 V und sind mit einer robusten Body-Diode für harte Kommutierung ausgestattet. Dank der von Infineon entwickelten .XTVerbindungstechnologie sollen sie über eine gute thermische Leitfähigkeit verfügen.

Im Vergleich zu 1700-V-SiC-MOSFETs bieten die neuen Bauteile auch für 1500-VDC-Systeme eine ausreichend hohe Überspannungsmarge. Sie erlauben damit höhere Zwischenkreisspannungen im System und damit eine höhere Systemleistung ohne Steigerung der dafür benötigten Stromstärke. Laut Infineon eignen sich die Bauteile optimal für Solaranlagen (z. B. String-Wechselrichter), Energiespeichersysteme und das Laden von Elektrofahrzeugen.

Die CoolSiC MOSFETs 2000V seien ab sofort erhältlich. Zusätzlich biete Infineon mit dem EVAL-COOLSIC-2KVHCC auch ein passendes Evaluierungsboard an. Ergänzend zu den CoolSiC MOSFETs 2000V werde Infineon in Kürze auch die passenden CoolSiC-Dioden auf den Markt bringen.