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MySpaceFMC hat eine Speichertechnologie entwickelt, die auf Hafniumoxid basiert. Die patentierte Technologie zur Umwandlung von amorphem HfO2 in kristallines ferroelektrisches HfO2 verspricht im Vergleich zu anderen aktuellen Speicherlösungen eine überlegene Leistung. Man erwartet daraus erhebliche Vorteile für Anwendungen wie KI, 5G und Big Data, die hohe Leistung und geringen Stromverbrauch sowie Kompatibilität mit modernsten CMOS-Logikprozessen erfordern.
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Daniel Artusi
Die Ferroelectric Memory GmbH (FMC) aus Dresden hat Daniel Artusi in ihren Vorstand geholt. Artusi hat über 40 Jahre Erfahrung in der Halbleiterindustrie und war zuletzt bei Intel als Vice President in der Client Computing Group und als General Manager für den Bereich Connected Home tätig. Davor war er CEO der Lantiq Deutschland GmbH, einem Fabless-Halbleiterunternehmen, das 2015 von Intel übernommen wurde. Auch hatte er mehrere Führungspositionen bei anderen Halbleiter- und Technologieunternehmen inne, darunter Conexant Systems, Coldwatt, Silicon Laboratories und Motorola. Zusätzlich hatte er die Position des operativen Geschäftsführers bei Golden Gate Capital, einer privaten Beteiligungsgesellschaft, inne. Artusi ist derzeit Mitglied des Vorstands von MaxLinear, Inc. (NYSE:MXL), Minim (OTC: MINM) und den Vorständen der privaten Technologieunternehmen GenXComm, Inc. und VisIC-Tech sowie im Engineering Advisory Board der Cockrell School of Engineering an der University of Texas in Austin.
Additional Info
- Ausgabe: 4
- Jahr: 2021
- Autoren: Volker Tisken
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