Twitter
Facebook
Linkedin
MySpace
Temperaturabhängig bildet sich entweder hBN (800 °C) oder Borophen (ab etwa 950 °C), eine Gitterstruktur aus einer einzigen Atomlage Bor, analog zu Graphen. Auch der angelegte Druck hat Einfluss auf das Wachstum des Materials: Bei zu geringem Druck bildet sich keine zusammenhängende Schicht auf dem Iridium, bei zu hohem Druck entstehen zu viele einzelne Inselchen, die unregelmäßig zusammenwachsen und die Materialqualität mindern.
Dem Team gelang es, die Druck- und Temperaturparameter zu identifizieren, die zu einer hochwertigen, geschlossenen Schicht führen. Je nach Prozessparametern kann so hBN oder Borophen gebildet werden. Noch gibt es keine effiziente Methode, das Material vom teuren Iridiumkristall zu lösen, aber die Ergebnisse lassen sich auf CVD-Prozesse mit anderen, kostengünstigeren Substraten, die sich beispielsweise wegätzen ließen, übertragen.
