V2-Ladesystem mit GaN-basierter Stromversorgung

Wide-Bandgap-Halbleiter aus Siliziumkarbid oder Galliumnitrid unterscheiden sich deutlich von herkömmlichen Halbleitern, da sie eine höhere Leistungseffizienz, eine geringere Größe und ein geringeres Gewicht aufweisen.

OMRON hat mit dem neuen V2X-System der KPEP-A-Serie das EV-Lade- und Entladesystem weiterentwickelt. Jetzt ist bidirektionales Laden und Entladen zwischen erneuerbaren Energiequellen, dem Netz und EV-Batterien möglich.

Die Ladesysteme der KPEP-A-Serie sind im Vergleich zu ähnlichen konventionellen Lade- und Entladesystemen um 60 % kleiner und leichter bei einer Ladeleistung von 6 kW.

Durch die Integration der GaN-Stromversorgung von Infineon konnte der Wirkungsgrad der Ladesysteme bei geringer Last um mehr als 10 % und bei Nennlast um etwa 4 % gesteigert werden.

Damit wird das Laden von Elektrofahrzeugen einfacher und bequemer. Eine geplante Weiterentwicklung der GaN- und SiC-basierten Stromversorgungen von Infineon soll auch den Einsatz erneuerbarer Energien beim Laden von Elektrofahrzeugen vorantreiben.