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2D-Halbleiter und Nano-Galvanik

Zweidimensionale (2D) Halbleiter haben sich aufgrund ihrer einzigartigen atomaren Schichtstruktur und ihrer speziellen Oberfläche als vielversprechende Kandidaten erwiesen. Die klassischen Si-Metall­oxid-Halb­leiter-Feldeffekttransistoren (MOSFET) leiden unter diesem Nachteil. 2D-Halbleiter wie einlagiges MoS₂ haben aufgrund ihrer außergewöhnlichen elektronischen und optischen Eigenschaften große Aufmerksamkeit auf sich gezogen. Ihre praktische Anwendung wurde jedoch durch die begrenzte Lichtabsorption aufgrund der atomar dünnen Dicke und der geringen Quantenausbeute behindert.

Wie intelligentes Design und Fertigung samt Teststrategien und Entwicklung zugehöriger Applikationen realisiert werden können, wurde auf der Tagung Elektronische Baugruppen und Leiterplatten EBL 2022 in Fellbach von den etwa 150 Teilnehmenden intensiv diskutiert.