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Auf dem IEEE IEDM 2021 (International Electron Devices Meeting) im Dezember demonstrierte das belgische Nanoelektronik-Forschungszentrum Imec die Ko-Integration von High-Performance Schottky-Barrier-Dioden und Depletion-Mode HEMTs auf einer a p-GaN 200-V GaN-on-SOI Plattform mit 200-mm Substrat. Diese Kombination ermöglicht höhere Funktionalität und Performance für GaN-Leistungs-ICs und die monolithische Integration der Leistungsschaltungen mit den Treiberfunktionen. Das Ergebnis sind kleinere, schnellere und effizientere DC/DC-Wandler und Point-of-Load Konverter.