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Rohm bietet mit der BM3G0xxMUV-LB-Serie der Marke EcoGAN Leistungsstufen-ICs mit integrierten 650-V GaN-HEMTs und Gate-Treibern. Sie eignen sich für Primärstromversorgungen in Industrie- und Verbraucheranwendungen wie Datenservern und AC-Adaptern und bieten zusätzliche Funktionen und Peripheriekomponenten zur Maximierung der GaN-HEMT-Leistung. Der große Ansteuerbereich (2,5 bis 30 V) gewährleistet die Kompatibilität mit anderen Controller-ICs in Primärstromversorgungen und erleichtert den Ersatz bestehender Silicium-MOSFETs (Super Junction). Dies ermöglicht gleichzeitig die Reduzierung der Abmessungen und der Verlustleistung um 99 % bzw. 55 % und damit einen höheren Wirkungsgrad bei geringerer Baugröße.

Der niederländische Chiphersteller Nexperia stellte Anfang Mai seine ersten Power-GaN-FETs in E-Mode-Konfiguration (Enhancement Mode) für Nieder- (100/150 V) und Hochspannungsanwendungen (650 V) vor. Die Erweiterung des Kaskoden-Angebots um sieben neue E-Mode-Bauelemente bietet neben dem umfangreichen Portfolio an silizium-blasierten Leistungselektronik-Bauelementen nun eine Auswahl an GaN-FETs.

Im belgischen Löwen entsteht ein neues F&E-Zentrum des Unternehmens Innoscience. Unter der Leitung von Dr. Jan Šonský sollen hier Technologien auf dem Feld der GaN-Gerätetechnologie (Gallium-Nitrid-auf-Silizium) entwickelt werden. Das erklärte Ziel: Innoscience will an der Spitze zukünftiger GaN-basierter Technologieinnovationen bleiben.

Auf dem IEEE IEDM 2021 (International Electron Devices Meeting) im Dezember demonstrierte das belgische Nanoelektronik-Forschungszentrum Imec die Ko-Integration von High-Performance Schottky-Barrier-Dioden und Depletion-Mode HEMTs auf einer a p-GaN 200-V GaN-on-SOI Plattform mit 200-mm Substrat. Diese Kombination ermöglicht höhere Funktionalität und Performance für GaN-Leistungs-ICs und die monolithische Integration der Leistungsschaltungen mit den Treiberfunktionen. Das Ergebnis sind kleinere, schnellere und effizientere DC/DC-Wandler und Point-of-Load Konverter.

Zu den anspruchsvollen Elektronikanwendungen gehört die Laser-Bearbeitung von metallisierten, spröden GaN-Keramiksubstraten. Im vorliegenden Fall wurde dies mit einem ProtoLaser R4 von LPKF realisiert.

Already today, about 40 % of the energy converted worldwide by technical systems is provided in the form of electric power. This share is expected to rise to around 60 % in 2040. These huge amounts of energy must not only be generated in a way that conserves resources and protects the environment, but must also be distributed and used efficiently.

Bereits heute werden etwa 40 % der weltweit durch technische Systeme konvertierten Energie in Form von elektrischem Strom bereitgestellt. Es wird erwartet, dass dieser Anteil im Jahr 2040 auf etwa 60 % steigt. Diese gewaltigen Energiemengen müssen nicht nur ressourcen- und umweltschonend erzeugt, sondern auch effizient verteilt und genutzt werden.

Hohe Kühlleistung bei minimalem Druckverlust bieten die neuen IsoMAXX Kühlkörper von Mersen zur Flüssigkeitskühlung von Leistungshalbleitern. Sie erfüllen die hohen Anforderungen der aktuellen Leistungselektronik und wurden speziell für die neuesten SiC-, GaN- oder IGBT-Leistungsmodule entwickelt. Umrichter, Transportsysteme, Elektrofahrzeuge und alternative Energieerzeuger profitieren von immer effizienteren Wide-Bandgap-Halbleitern, die optimiert sind für höhere Schaltfrequenzen und höhere Temperaturen, und sich durch wesentlich kompakteres Design auszeichnen.