Um ein neues Leistungsmodul mit Keramik-Substrat aus Aluminiumnitrid (AIN) ergänzt Infineon Technologies seine EasyDUAL CoolSiC MOSFET-Familie.
Die Bauteile sind erhältlich als Halbbrücken-Konfiguration mit einem Durchlasswiderstand (R DS(on)) von 11 mΩ in einem EasyDUAL-1B-Gehäuse sowie mit 6 mΩ in einem -2B-Gehäuse. Durch die verbesserten Eigenschaften der Hochleistungskeramik eignen sich die 1200-V-Module für Anwendungen mit hoher Leistungsdichte wie Solaranlagen, unterbrechungsfreie Stromversorgungen, Hilfsbetriebeumrichter sowie Energiespeichersysteme und Ladestationen für Elektrofahrzeuge.
Die Module sind mit der neuesten CoolSiC-MOSFET-Technologie ausgestattet, die eine hervorragende Gate-Oxid-Zuverlässigkeit aufweist. Durch die verbesserte Wärmeleitfähigkeit des DCB-Materials lässt sich der Wärmwiderstand zum Kühlkörper (R thJH) um bis zu 40 % reduzieren. In Kombination mit den CoolSiC-Easy-Modulen verbessert die neue AlN-Keramik entweder die Ausgangsleistung oder senkt die Sperrschichttemperaturen. Damit kann eine verbesserte Lebensdauer des Systems erreicht werden. Die neuen Module sind ab sofort erhältlich.
