• Titelbild: Board zur Charakterisierung der präsentierten ADCs
  • Ausgabe: August
  • Jahr: 2024
  • Autoren: Roman Meier
  • Titelbild: Die erste Generation der AlN/GaN-Transistoren, die am FBH hergestellt wurden, zeigt vielversprechende Eigenschaften, u. a. eine Leistungsdichte, die jene von Bauelementen aus SiC oder GaN übertrifft
  • Ausgabe: August
  • Jahr: 2024
  • Autoren: Dipl.-Ing. Viola Krautz
  • Titelbild: Erhöhte Leistungsdichte im gesicherten Fertigungsprozess
  • Ausgabe: August
  • Jahr: 2024
  • Autoren: Volker Tisken
  • Link: https://www.onsemi.com/
  • Titelbild: Eingebettete Halbbrücken-Prepackages für dauerlastfähige Wechselrichter
  • Ausgabe: Juli
  • Jahr: 2024
  • Autoren: Dipl.-Ing. Viola Krautz
  • Link: https://www.izm.fraunhofer.de/
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