Infineon Technologies mit Hauptsitz in Neubiberg bei München hat die weltweit ersten Galliumnitrid (GaN)-Leistungstransistoren mit integrierter Schottky-Diode für industrielle Anwendungen vorgestellt.
Bei hart schaltenden Anwendungen können GaN-basierte Topologien aufgrund der größeren effektiven Body-Diode-Spannung (VSD) von GaN-Bauteilen zu höheren Leistungsverlusten und damit zu einem geringeren Wirkungsgrad führen. Um dem entgegenzuwirken, wurde für die Leistungsentwicklung bisher entweder eine externe Schottky-Diode benötigt, die parallel zum GaN-Transistor geschaltet wurde, oder es wurde versucht, die Totzeiten über Controller zu reduzieren, was allerdings den Entwicklungsprozess verlängert und damit den Zeit- und Kostenaufwand erhöht.
Mit dem neuen CoolGaN-Transistor 100 V G5 lasse sich laut Infineon das Design vereinfachen. Durch die integrierte Schottky-Diode eigne sich der GaN-Transistor insbesondere für den Einsatz in Server- und Telekom-Schaltungen, DC-DC-Wandlern, Synchrongleichrichtern für USB-C-Ladegeräte und Hochleistungsnetzteile sowie für Motorantriebe. Mit dieser neuen integrierten Lösung seien die Sperrleitungsverluste geringer und die Kompatibilität mit einer breiteren Palette von High-Side-Gate-Treibern und -Controllern führe zu einem einfacheren Design.
Der erste von mehreren GaN-Transistoren mit integrierter Schottky-Diode ist der 100-V-1,5-mΩ-Transistor in einem 3 × 5 mm² PQFN-Gehäuse. Muster und Datenblätter sind auf Anfrage erhältlich.
