SemiQ, ein Hersteller von Siliciumkarbid (SiC)-Leistungshalbleitern für Hochspannungsanwendungen, hat drei 1,2-kV-Dreiphasen-Siliciumkarbid-MOSFET-Brücken in 62,8 × 33,8 × 15 mm großen Pressfit-Six-Pack-Modulen auf den Markt gebracht.
- 20 mΩ 263 W GCMX020A120B2T1P
- 40 mΩ 160 W GCMX040A120B2T1P
- 80 mΩ 103 W GCMX080A120B2T1P
Die drei negativen Anschlüsse der Halbbrücken sind zu separaten Klemmen herausgeführt, und jede Transistor-Source verfügt über eine eigene Kelvin-Referenz für eine präzise Gate-Ansteuerung.
SemiQ gibt Übergangstemperaturen von 25 °C an:
- 29-30 A Dauer-Drain-Strom, Impulse bis zu 70 A
- 0,1-0,54 mJ Einschalt-Energie
- 0,02-0,11 mJ Ausschalt-Energie
- 56-105 ns Schaltzeit unter Kombination von Einschaltverzögerung, Anstieg, Ausschaltverzögerung und Abfall
Die maximal zulässige Leistung ist bei einer Gehäusetemperatur von 25 °C und einer maximalen Temperatur der Verbindungsstellen von 175 °C gewährleistet. Laut Unternehmensangabe wurde jedes Bauteil mit über 1.350 V getestet und einem Burn-in unterzogen. Erwartet wird der Einsatz der Leistungshalbleiter in Ladestationen für Elektrofahrzeuge, Energiespeichern und Motorantrieben.
