Eugen G. Leuze Verlag GmbH & Co. KG
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NXP Semiconductors, ein Anbieter von Prozessoren für die Automobilindustrie, kooperiert mit dem taiwanesischen Auftragsfertiger TSMC in der Entwicklung des branchenweit ersten Embedded MRAM-Speichers (Magnetic Random Access Memory) in 16-nm FinFET-Technologie. Mit der Umstellung auf software-definierte Fahrzeuge (SDV) müssen die Automobilhersteller mehrere Generationen von Software-Upgrades auf einer einzigen Hardware-Plattform unterstützen. Die…
Yamaichi Electronics profiliert sich als Spezialist für individualisierte Steckverbinder in kundenspezifischen Entwicklungen. „Es besteht wachsender Bedarf an kundenspezifischen Applikationen – insbesondere im Bereich der Steckverbinder“, sagt Benedikt Behr, Produktmanager bei Yamaichi. „Trotz des breiten Spektrums an Standard-Konnektoren ist eine Lösung von der Stange für spezifische Anwendungen oft nur bedingt passend.“
Wednesday, 16 August 2023 11:59

Derzeit kleinstes Signalrelais auf dem Markt

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Mit dem Typ HFD5 des chinesischen Herstellers Hongfa (Jimei Xiamen), wird das mit 9,0 x 4,8 x 4,9 mm³ aktuell kleinste verfügbare Signalrelais auf dem Markt lieferbar. Es ist das erste der fünften Generation und eignet sich für Anwendungen in den Bereichen Medizintechnik, Test-, Mess- und Prüfsystemen für Kabelbäume.
Omron präsentiert die neuen NX502 CPU-Automatisierungssteuerungen der NX-Serie mit fortschrittlicher Informations- und Sicherheitskontrolle zeitgleich mit neuen NX-EIP201 EtherNet/IP-Einheiten. Produktionsstandorte streben heute CO2-Neutralität an und achten vermehrt auf ihr ESG-Management (Environmental, Social und Governance). Die neuen NX502 CPUs und NX-EIP201-EtherNet/IP-Einheiten bieten große Speicherkapazität, um Echtzeitanalysen und Modularisierung zu ermöglichen. Damit können…
Infineon Technologies präsentiert eine neue Generation von 1200-V CoolSiC-MOSFETs im TO263-7-Gehäuse für Automotive-Anwendungen. Die Siliciumkarbid-(SiC)-MOSFETs ermöglichen bidirektionales Laden und tragen zur Reduzierung der Systemkosten in On-Board-Charging (OBC)- und DC-DC-Anwendungen bei. Die 1200-V-Variante der CoolSiC-Familie weist im Vergleich zur ersten Generation 25 % geringere Schaltverluste auf. Das ermöglicht höhere Schaltfrequenzen, höhere…
Vishay Intertechnology stellt derzeit 17 neue 650-V SiC-Schottky-Dioden der Generation 3 vor. Sie zeichnen sich durch ein Merged-PIN Schottky-Design (MPS) aus und kombinieren hohe Stoßstromfestigkeit mit niedriger Vorwärtsspannung, geringer kapazitiver Ladung und kleinem Sperrstrom, um die Effizienz und Zuverlässigkeit in Schaltnetzteil-Designs zu erhöhen. Diese SiC-Dioden kommen als Versionen mit 4bis…
Der niederländische Chiphersteller Nexperia stellte Anfang Mai seine ersten Power-GaN-FETs in E-Mode-Konfiguration (Enhancement Mode) für Nieder- (100/150 V) und Hochspannungsanwendungen (650 V) vor. Die Erweiterung des Kaskoden-Angebots um sieben neue E-Mode-Bauelemente bietet neben dem umfangreichen Portfolio an silizium-blasierten Leistungselektronik-Bauelementen nun eine Auswahl an GaN-FETs.
Rohm Semiconductor hat die Serienfertigung der 650-V GaN (Galliumnitrid) HEMTs GNP1070TC-Z und GNP1150TCA-Z aufgenommen. Sie wurden mit Ancora Semiconductors, Tochtergesellschaft von Delta Electronics, entwickelt. Sie bieten Effizienzsteigerung und Miniaturisierung in Stromversorgungssystemen, einschließlich Servern und Netzteilen.
Man nehme eine Energiequelle, einen Energiesammler, einen Energiewandler und einen Energiespeicher – mehr braucht es nicht, um Low-Power-Geräte wie Wireless-IoT-Geräte, intelligente Fernbedienungen oder diverse Verbraucher-Elektroniken unabhängig von Versorgungsnetzen oder externen Ladevorgängen zu betreiben. Mit dem Power-Management-Schaltkreis NEH2000BY bietet Nexperia eine solche Lösung für den Low-Power-Bereich.
Mit der neuen PSoC 4100S Max CPU-Familie verspricht Infineon das erleichterte Design von HMI- (human machine interface) Applikationen. Sie besteht aus Mikrocontrollern auf Basis der Arm Cortex-M0+ CPU und ist gut geeignet für die industrielle Automation, aber auch für Consumer-Anwendungen im Bereich Smart Home mit Touch-Screens bis zu 10 Zoll,…
Würth Elektronik erweitert das Angebot an kompakten MEMS-basierten Sensoren um einen 3-Achs-Beschleunigungssensor mit integriertem 3-Achsen-Gyroskop. Mit wählbaren Messbereichen und Datenraten ist der neue Baustein WSEN-ISDS vielseitig einsetzbar. Zur Erleichterung der Integration liefert der Sensor bereits kalibrierte aufbereitete Daten für die anwendungsspezifischen Funktionalitäten ‚Freier Fall‘, ‚Aufwachen‘, ‚Antippen‘, ‚Aktivität‘, ‚Bewegung‘, ‚Neigung‘ und…
Rohm hat die Serienfertigung kurzwelliger Infrarot-Bauelemente (Short-Wavelength Infrared, SWIR) in der branchenweit kleinsten Größenklasse 1608 (1,6 x 0,8 mm) für kompakte Sensoranwendungen (Lichtsender/Empfänger) in tragbaren Geräten, Wearables und Hearables entwickelt. Solche SWIR-Bauelemente kommen bisher im Durchsteckgehäuse, es gibt nur wenige oberflächenmontierbare Produkte. Muster von SWIR-Produkten, die auf der neuen Technologie…
Renesas Electronics meldet die Herstellung des ersten Mikrocontrollers (MCU) auf Basis seiner 22-nm Prozesstechnologie. Er bietet beste Performance bei geringerer Leistungsaufnahme durch die reduzierte Core-Spannung. Die fortschrittliche Prozesstechnologie erlaubt die Integration einer Vielzahl von Features wie etwa HF-Funktionen. Der neue Prozessknoten benötigt eine kleinere Chipfläche mit höherer Integration von Peripheriefunktionen…

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