Artikelarchiv

Energieautark produzieren – das ist das langfristige Ziel des Technologieverbunds ‚Green Factory Bavaria‘. Er wurde unter der Federführung der Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg (FAU) im Dezember 2012 in Gang gesetzt. Der Freistaat Bayern fördert im Rahmen eines zwischen mehreren Ministerien abgestimmten Maßnahmenpakets zur Energiewende den Aufbau eines interdisziplinären Forschungsprojekts für energiesparende Produktionstechnologien. Zunächst stehen in den Haushalten 2013/2014 hierfür insgesamt 6 Mio. € an zusätzlichen Forschungsmitteln zur Verfügung. Das Vorhaben ist auf vier Jahre angelegt mit einem geplanten Gesamtvolumen von 12 Mio. € [1]. Abbildung 1 zeigt das Logo des Projekts.

Naja, eingestandenermaßen sieht man das Brechen von Mehrfach-Leiterplatten (Panelen) über das Knie einer Dame wohl selten. Dafür dient aber die Tischkante recht regelmäßig als Referenzeck bei solchen Tätigkeiten. Jedenfalls stehen für das Bearbeiten von Leiterplatten einige Methoden zur Verfügung. Die Vorgaben der IPC A-600 von 0,75 % Verdrehung oder Verwerfung beziehen sich nur auf unbestückte Leiterplatten. Zudem muss man Biegsamkeit von tatsächlich stattgefundener Verwerfung unterscheiden. Leiterplatten sind unterschiedlich biegsam, je nach Material, Verstärkung und Dicke weswegen gewisse Standardvorgaben für Abstände usw der verschiedenen Normen im spezifischen Fall oft wenig Sinn machen. Während des Produktionsprozesses gibt es zahlreiche Stellen an denen die Leiterplatte sich verziehen oder verwerfen kann oder mechanisch belastet wird. Singulieren ist dabei einer der kritischsten Schritte.

Mit ‚Silicon Convergence' zeichnet sich ein Trend in der Systementwicklung ab, der ein enormes Potenzial für FPGAs eröffnet, ist sich Danny Biran, Senior Vice President ‚Corporate Strategy' von Altera sicher. Die Konvergenz im Halbleiterbereich wird in Zukunft ‚Mixed-System-Fabric'-ICs hervorbringen, die Prozessor-, DSP- und anwendungsspezifisches Know-how in einem programmierbaren Baustein vereinen.

Leistungsschalter auf der Basis von Siliziumkarbid (SiC) erobern in der heutigen Umrichtertechnik immer mehr Terrain. Der folgende Beitrag vergleicht den ersten Prototyp eines SiC-MOSFETs von ST mit einem in Grundstellung gesperrten SiC-JFET und einem SiC-BJT. Die Analyse stellt die statischen und dynamischen Kenndaten der Bausteine gegenüber und konzentriert sich dabei insbesondere auf die jeweiligen Treiberanforderungen. Dabei zeigt sich, dass der SiC-MOSFET trotz seiner höheren Figure of Merit überragende dynamische Eigenschaften an den Tag legt und sich verglichen mit den beiden konkurrierenden Bausteinen durch eine äußerst unkomplizierte Ansteuerung auszeichnet.

Die Rutronik Elektronische Bauelemente GmbH veranstaltet gemeinsam mit Infineon eine Seminarreihe zur neuen Mikrocontroller-Familie XMC4500 von Infineon. Die Teilnehmer erhalten einen Überblick über die technischen Möglichkeiten der neuen MCU-Serie XMC4500, der ersten ARM- Cortex-M4-32-Bit-Mikrocontroller-Baureihe des Halbleiterherstellers Infineon.