Artikelarchiv

Mitgliederversammlungen im Mai 2004

5. CEO-Treffen der Hersteller Elektronischer Baugruppen am 27. April 2004 in Frankfurt

Verbesserung des Services- und Dienst- leistungsangebotes – Mitgliederzufriedenheits- analyse im VdL durchgeführt

Arbeitskreis „Bare Die“ stellt zweiten Fragenkatalog bereit

Arbeitskreis zu Weiterbildung im Bereich Marketing & Vertrieb gegründet.

Nutzen personeller Vielfalt: Neue EU-Studie und neues Projekt des ZVEI

Fachverband organisiert Wireless Konferenz zur electronica 2004

Neuauflage des ZVEI-Faltblatts „Chancen für Ingenieure und Informatiker“ zur Unterstützung der regionalen Nachwuchswerbung

Neue Mitglieder des Fachverbands Bauelemente der Elektronik im ZVEI im 1. Quartal 2004

Halbleitermarkt in Deutschland – Umsatzdelle im Februar 2004

Die Verlagerung von Produktionskapazitäten nach Osteuropa und China und ein verstärkter Preis- druck stellt die deutsche Leiterplattenindustrie vor große Herausforderungen, denen jeder Hersteller mit einem individuell gefärbten Strategiekonzept begegnet. Die Schweizer Electronic AG betont den Kunden- bezug und die stärkere Einbindung in die Produktkette. Der drittgrößte deutsche Hersteller sieht sich als Spezialist für Technologie und Serienanläufe. In innovative Lösungsangebote eingebettetes Produkt- und Verfahrens-Know how soll dem Unternehmen den Vorsprung gegenüber dem Wettbewerb sichern, der heute noch mehr als in der Vergangenheit für den Bestand am Markt erforderlich ist.

Bericht über die IPC Printed Circuit Expo, SMEMA Council APEX und den Designers Summit vom 24. bis 26. Februar 2004 in Anaheim/Kalifornien

Der seit Oktober 2003 bemerkbare Aufschwung in der Elektronikbranche der USA setzte positive Signale für die Teilnahme an der diesjährigen Ausstellung und Konferenz des IPC. Mit 5 700 Besuchern kamen 8 % mehr Interessenten als im Vorjahr zu der Show, die im neuen Convention Center in Anaheim, Kalifornien, gegenüber von Disneyland, stattfand. Erstmalig fand in diesem Jahr die IPC Printed Circuit Expo gemeinsam mit der Bestückermesse APEX und dem Designers Summit statt. Die Besucher hatten somit die Möglichkeit, sich über das Angebot der An- bieter und Zulieferer entlang der gesamten Supply Chain zu informieren. Mehr als 60 % der Be- sucher machten vom diesem Angebot Gebrauch.

Cookson und Polyclad bereiten sich intensiv auf WEEE und RoHS vor

Seit Gründung der Polyclad Laminates Inc. im Jahre 1976 entwickelte sich das Unternehmen zum interna- tional führenden Lieferanten von Hochleistungslami- naten, Prepregs und harzbeschichteten Kupferfolien für die Elektronikindustrie. Die Ursachen für diesen Erfolg sind einfach: Polyclad hat sich von Anfang für alle Aktivitäten des Unternehmens das Ziel gestellt, die Kunden- anforderungen möglichst gut zu erfüllen. 1987 wurde das Unternehmen durch die Cookson Group plc aufgekauft und ist seitdem Bestandteil der Cookson Electronics PWB Materials and Chemistry. Die Cookson Group schließt als weiteres Unternehmen Enthone Inc. ein, führendes Unternehmen für Hochleistungs-Spezial- chemikalien und -Beschichtungen in der Elektronik- und Oberflächenveredlungsindustrie.

EIPC Winterkonferenz in Cannes/Frankreich am 12. und 13. Februar 2004

Am 12. und 13. Februar 2004 fand die diesjährige Winterkonferenz des EIPC im Novotel Montfleury in Cannes an der Côte d’Azur statt. „Anpassung an die Änderungen in der Leiterplattenwelt“ war das Motto der Veranstaltung. Mit 20 Vorträgen zu den Themen Management, Innovation, Qualitäts- sicherung und neue Materialien vermittelte die Veranstaltung den 110 Teilnehmern aus dem oberen und mittleren Management gezielte Information und Weiterbildung. Zwölf Sponsoren rundeten das Bild der Konferenz mit einer Posterausstellung in der Eingangshalle ab. Hier wurden die Pausen zu Fachgesprächen und „Networking“ genutzt. Die Seminarräume des Hotels waren hervorragend für diese Veranstaltung geeignet und auch die Ver- köstigung und der Service waren ausgezeichnet. Das Konferenzhotel lag auf einer Anhöhe, ca. 20 Minuten Fußweg von Cannes´ Altstadt entfernt.

Folgt Indien der Erfolgsstory China?

Welche Chancen und Risiken bietet der Subkontinent?

Die aufstrebenden Schwellenländer oder auch Emerging Countries genannt, mit China und Indien an der Spitze, faszinieren zunehmend Unternehmen und Investoren. Kontinuierliche wirtschaftliche Wachstumsraten von 7 - 9 % p. a. erzeugen eine ungeheure Sogwirkung. Damit wachsen diese ehemaligen Entwicklungsländer weitaus schneller als die westlichen Industrieländer (EU Wachstum 1,8 %). Während China sich zum Produktions- standort der Welt entwickelt, ist Indien auf dem Weg zum Entwicklungs- und Technologiezentrum. Die Globalisierung ist der Wachstumsmotor für diese Länder. Nach 7 Mrd. US$ in 2003 wollen Investoren in diesem Jahr 20 Mrd. US$ Investie- ren wie die Times of India berichtet. Mit 1,014 Mrd. Einwohner ist Indien

FED-Veranstaltungskalender

Aus dem Verbandsleben

Die FED-Geschäftsstelle teilt mit

Kurz notiert

IPC-Richtlinien

Die EU-Richtlinie 2002/95/EC RoHS (Directive on the Restriction of the Use of Certain Hazardous Substances in Electrical and Electronic Equipment) vom 27. Januar 2003 untersagt zum 1. Juli 2006 das Inverkehrbringen von Elektronikprodukten, die Blei, Quecksilber, Cadmium, sechswertiges Chrom, polybromiertes Biphenyl (PBB) oder polybromierten Diphenylether (PBDE) enthalten. Wörtlich ge- nommen, müssen die Geräte also völlig frei von diesen genannten Stoffen sein. Ist dieses aber machbar – und wenn nicht – wieviel darf enthalten sein? Hierrüber gibt es weltweit unterschiedliche Meinungen.

Ansoft liefert HFSS v9 für 64-Bit-Betriebssysteme

Ansoft: Q3D Extractor für beschleunigtes Design hochleistungsfähiger Interconnectstrukturen

Die neue Cadence Allegro Plattform liefert „on-target, on-time” Designlösungen für High-Speed System-Interconnects

Neues Leiterplattendesign- und Dokumentationssystem setzt neue Standards im Datenaustausch zwischen Design und Fertigung

Neue Modellbibliothek für das Design alternativer Energieversorgungssysteme von Ansoft

Unter der Leitung von Johann Weber, Vorstandsvorsitzender der Zollner Elektronik AG, Zandt, fand in Regensburg am 18./19. Februar 2004 das 7. OTTI-Fachforum über Innovatives Leiterplattendesign statt, bei dem von den Grundlagen, u. a. dem Prozess vom Schaltungsträger zur kompletten elektronischen Baugruppe, bis hin zu speziellen Aufgaben wie der Berechnung und Messung impedanzkontrollierter Leiterplatten alles behandelt wurde, was für das Design bedeutsam ist.

In vorangegangen Artikeln [1, 2] haben wir die Grundlagen der Gleichstromerwärmung einer Leiterbahn und die Kühlung über die sie tragenden Leiterplatte dargestellt. Es wurde anhand von numerischen Simulationsrechnungen gezeigt, dass die Designrichtlinie IPC-2221 (= MIL-STD-275 = FED-22-02 ) streng genommen nur für 35 µm dicke Leiterbahnen auf einer FR4-Leiterplatte mit einer 35 µm-Kupferrückseite gilt und dass es keinen gravierenden Unterschied zwischen „externen" und „internen" Leiterbahnen gibt. In diesem Beitrag werden weitere Strombelastbarkeitskurven für Variationen des Leiterplattenaufbaus vorgestellt. Im Wesentlichen halten wir uns an den Inhalt des FED-Workshops [3]. // 

In two previous articles [1,2], the basic principles of DC heating of PCB tracks and the heat- sinking capacity of the supporting board were set out. It was shown, using numerical simulations that, strictly speaking, the Design Guidelines IPC-2221 (= MIL-STD-275 = FED-22-02) only hold for 35 µm thick tracks on an FR4 PCB with a 35 µm copper backplane. Also that there is no serious difference between “external” and “internal” tracks. In this paper, further current loading plots are shown for various board configurations. By and large, the authors follow the content of the FED Workshops [3].

Nachrichten // Verschiedenes 

Lightning Bestückungskopf von Universal wurde mit dem Apex 2004 Innovation Technology Showcase Award ausgezeichnet

MICRONNECT ist Distributor von West Bond und DeWeyl

Dank neuem automatischen Filmbelichter Losgröße Eins von B&B jetzt noch kostenoptimaler

Auszeichnung für Werner Peters

rehm Anlagenbau jetzt auch in Russland vertreten

FUBA mehrfach erfolgreich auditiert

Orbotech und Peter Jordan schließen Vertriebspartnerschaft

Freudenberg Mektec Europa baut regionale Kundenbetreuung aus

Prüftechnik Schneider mit neuer Geschäftsführung

Mühlbauer ernennt Werner Sobek zum neuen Marketingchef

Eberhard Lendle verstorben

FUBA Leiterplattenforum in San Jose erfolgreich

LPKF erweitert China-Präsenz

Vishay weiter auf Erfolgskurs

Greule-Vertretung für NRW

SEAG behauptet Marktanteil

VOGT electronic AG

Kooperation von IPC und EIPC

Royonic vertreibt Multifunktionszellen von BOS

Neugründung Elektrotechnik

Isola geht in amerikanische Hände

EDA Consortium veröffentlichte Operating Support (OS) Roadmap

LPKF Technologieforum in Schwerin

Neuer Geschäftsführer bei der straschu Industrie-Elektronik GmbH

Berichtigung zu „ZAVT-Forum Bauelemente für die bleifreie Verarbeitung“ im Heft 3/2004, S. 397

Hat unser viel gepriesenes System der sozialen Marktwirtschaft versagt? Jedenfalls scheint es nicht mehr zeitgemäß und reformbedürftig zu sein, denn es generiert nicht mehr die aus sich heraus wirkenden innovativen Kräfte, die Deutschland in den ersten Jahrzehnten nach dem Krieg zu seiner einzigartigen wirtschaftlichen Stellung in Europa und der Welt geführt haben. Im Gegenteil: es hat eine Wohlstands- mentalität hervorgebracht, die nicht dazu angetan ist, einen Leistungsdruck zu erzeugen, der heute um so mehr erforderlich ist, als wir uns veränderten wirtschaftlichen und gesellschaftlichen Tatbeständen wie etwa die Globalisierung oder die Überalterung der Bevölkerung gegenüber sehen.

Seitdem der IPC seine Strategie der verstärkten globalen Wirkungsweise veröffentlicht hat, sind bereits mehr als vier Jahre vergangen. Jetzt, zwei Jahre seit der Eröff- nung des offiziellen IPC-Büros in Shanghai, sind die Früchte der Bemühungen des nordamerikanischen Fachverbandes IPC in Asien allmählich klar zu erkennen: Die Anzahl der dort ansäßigen Firmen, die IPC-Mitglied werden, nimmt stetig zu. Neue Mitglieder kommen aus China, Hong Kong, Südkorea, Indien, Philippinen, Singapur, Taiwan, Japan, Malaysia. Dabei dominieren quantitativ ganz klar die IPC-Neuzugänge in China. Dort sind es vor allem die Baugruppen- und Gerätehersteller (CEM), die die Nähe des IPC suchen.

Der Anteil der Elektronik am Wert eines Automobils nimmt immer mehr zu. Die Forderungen nach Sicher- heit, Zuverlässigkeit, Umweltverträglichkeit und Fahrkomfort haben immer mehr und immer komplexere Baugruppen zur Folge. Deren reibungsloses Zusammenspiel erfordert eine domänenorientierte System- architektur und die Verwendung von standardisierten Schnittstellen. Aus Kostengründen ist eine Aus- tauschbarkeit und Wiederverwertbarkeit der einzelnen Module in Zukunft unerlässlich. Dies lässt sich nur durch intensive und langfristige Zusammenarbeit – nicht nur innerhalb der Wertschöpfungskette, sondern auch der Wettbewerber untereinander – erreichen.

Die originäre Leistung der Mikrosystemtechnik ist die Systemintegration verschiedener Technologien und Komponenten und der Brückenschlag zwischen Makro-, Mikro- und Nanowelt. Dementsprechend vielfältig sind die Systemintegrationstechniken und ihre Aufgaben. Die Aufbau- und Verbindungstechnik ist ein Schlüsselelement der Systemintegration. Sie ist häufig sowohl der limitierende Faktor für die Gesamtgröße eines Mikrosystems als auch – bei kleinen oder mittleren Stückzahlen – entscheidend für die Kosten. Die Umsetzung in erfolgreiche Produkte erfordert vor allem die Beherrschung fle- xibler Fertigungsverfahren, die mit den Kostenstrukturen von Massenfertigungsverfahren mit- halten können und gleichzeitig der Tendenz nach individualisierten Produkten Rechnung tragen. // 

The original role of microsystem technology is a systems integration of various technologies and components, and as an initial link between macro-, micro- and nano-technologies. Accordingly, a wide range of systems integration technologies are involved, these being applied to a multiplicity of tasks. Assembly and interconnection technologies are a key element in systems integration. In many cases, they are the key factor in determining overall size of the assembly and also, in the case of short- or medium-sized production runs, critical in determining costs. Translating technology into a commercially successful product demands, above all, the use of flexible production methods, capable of competing with cost structures of mass-production, but also acknowledging a trend towards customized products.

This paper presents the possibility of a piezo- electric micro-switch for RF application. The switches we fabricated consist of micro-cantilevers using PZT thin films with the length of 300 µm and the width of 50 µm. The cantilevers are actuated as unimorph actuators that can be deflected by applying voltage between upper and lower electrodes. We could obtain large deflection of 4.3 µm even at the low voltage of 6.0 V, which is well compatible with conventional IC drivers. This result indicates that the RF-MEMS switch using piezoelectric PZT thin films is advantageous to the low voltage switching devices compared with conventionally proposed electrostatic ones. // 

Piezoelektrische Schalter für RF Anwendungen bieten neue Möglichkeiten. Hier wurden Schalter aus mikrostrukturierten Zungen aus in Dünn- schichttechnik abgeschiedenem PZT mit einer Länge von 300 µm und 50 µm Breite hergestellt. Als unimorphe Aktuatoren bewegen sich diese Zungen in Abhängigkeit einer angelegten Spannung zwischen oberer und unterer Elektrode. Es konnte Auslenkungen von 4,3 µm mit nur 6,0 V Auslenk- spannung erzielt werden, die mit den Spannungen heutiger IC-Schaltkreise kompatibel ist. Die Resultate weisen auf einen Vorteil der piezoelektrischen Aktuatoren gegenüber konventionellen, elektrosta- tischen Schaltern hin.

Technologies for the waferlevel fabrication of planar PEM fuel cells between 1 mm2 and approximately 1 cm2 were developed. These MEMS based micro fuel cells may be potential power sources for future applications like wireless sensor networks, chip cards or autonomous microsystems. The investigations focused on patterning and deposition technologies for the fabrication of micro flow fields, design studies for integrated flow fields, material compatibility for fuel cells, patterning of membrane electrodes, serial interconnection of single cells in a planar arrangement, laminating and assembling processes. Although wafer technologies were applied, foil materials were used which allow for low-cost fabrication in future production. Prototypes of self breathing PEM fuel cells with a size of 1 cm x 1 cm and 200 µm thickness were fabricated. Figure 1 shows a micro fuel cell. V/I curves were measured at a variety of ambient conditions. Stable operation was achieved at 80 mW/cm2 at room temperature with dry hydrogen fuel. // 

Es wurde eine Technologie für planare PEM- Mikrobrennstoffzellen mit einer Größe von 1 mm2 bis 1 cm2 entwickelt, die auf Waferleveltechnologien beruht. Diese auf MEMs-Technologien basierenden Mikrobrennstoffzellen können mögliche Energiequellen für zukünftige Anwendungen wie drahtlose Sensornetze, Chipkarten oder autonome Mikrosys- teme sein. Die Untersuchungen konzentrierten sich auf Strukturierungs- und Abscheideprozesse zur Herstellung der „Mikro-Flow-Fields“, Designstudien des integrierten „Flow-Fields“, Untersuchungen zur Materialkompatibilität für Brennstoffzellenanwendungen, Strukturierung der Membran-Elektroden-Einheit (MEA), Serienverschaltung von Einzelzellen in einer planaren Anordnung sowie Laminations- und Assemblyprozessen. Obwohl Wafertechnologien angewendet wurden, wurden auch Folien verwendet, die eine preiswerte Herstellung in zukünftigen Produkten zulassen. Es wurden Prototypen selbst- atmender Mikrobrennstoffzellen mit einer Größe von 1 cm x 1 cm und einer Dicke von 200 µm aufgebaut. Bild 1 zeigt eine aufgebaute Mikrobrennstoffzelle im Größenvergleich mit einem Euro-Cent. Die Prototypen wurden bei verschiedenen klimatischen Umgebungsbedingungen elektrisch durch Strom-Spannungs-Kennlinien charakterisiert. Im Dauerbetrieb wurde unter allen Bedingungen eine Leistungsdichte von 80 mW/cm2 erreicht.

A hermetic packaging approach for RF MEMS devices is presented. For this purpose, a planar CPW feedthrough through a glass frit sealant between two high resistivity silicon wafers was developed and optimized by 3D full-wave simulation. Test structures and complete RF MEMS switches were fabricated and characterized. Return loss of -20 dB was achieved on an 8.7 mm long CPW with two hermetic transitions up to 100 GHz. The presented sealed RF MEMS switch is fully functional with excellent performance. For the hybrid integration on a module board a flip-chip transition was optimized for W-Band with better than 0.4 dB simulated insertion loss. // 

Eine hermetische Gehäusungstechnik für RF-MEMS-Bausteine wurde entwickelt. Hierzu wurden koplanare Wellenzüge (CPWs) mittels Glasfrit- versiegelung unter zwei hochresistiven Silizium- wafern durchgeführt und mittels 3D Full-Wave- Simulationen optimiert. Teststrukturen und voll- ständige RF Bausteine wurden hergestellt und charakterisiert. Reflektionsverluste von weniger als -20 dB konnten mit einem 8,7 mm langen CPW Leiterzug für 100 GHz realisiert werden. Ein solcher hochoptimierter RF-MEMS-Baustein wurde hybrid in Flipchip-Technik auf eine Modul- platine integriert. Für W-Band Anwendungen konnte ein Einspeiseverlust von kleiner 0,4 dB ermittelt werden.

Der Fachkreis BFE – Blei-Freie Elektronik hat eine Testplatine für das Bleifrei-Wellenlöten entwickelt. Diese wurde von Hubert Ebert, JUMO GmbH & Co. KG, Fulda, bei einem BFE-Meeting im Oktober 2003 in Nürnberg erstmals der Öffentlichkeit vorgestellt und vom BFE bei der Wellenkampagne W5 genutzt