Der Münchner Halbleiterhersteller Infineon Technologies verkündet, die weltweit erste 300-mm-Galliumnitrid (GaN)-Wafer-Technologie für Leistungselektronik entwickelt zu haben.
Infineon bezeichnet es als Durchbruch, diese Technologie in einer bestehenden, skalierbaren Hochvolumenfertigung zu beherrschen. Dies soll dazu beitragen, den Markt für GaN-basierte Leistungshalbleiter voranzutreiben.
Die Chipproduktion auf 300-mm-Wafern ist effizienter als auf 200-mm-Wafern, da der größere Waferdurchmesser die 2,3-fache Menge an Chips pro Wafer ermöglicht. In den Bereichen Industrie, Automotive sowie Konsumenten-, Rechen- und Kommunikationsanwendungen (Consumer, Computing & Communications) sind die Leistungshalbleiter auf GaN-Basis zunehmend auf dem Vormarsch. Beispiele sind Stromversorgungen für KI-Systeme, Solarwechselrichter, Ladegeräte und Adapter sowie Motorsteuerungssysteme. Das GaN-Fertigungsverfahren verbessert die Leistung der Bauelemente und ermöglicht eine höhere Effizienz, geringere Größe und Gewicht sowie niedrigere Gesamtkosten von Anwendungen der Endkunden. Die 300-mm-Fertigung sichert Kunden darüber hinaus eine Versorgungsstabilität durch Skalierbarkeit. Ein Vorteil besteht darin, dass sie bestehende Fertigungsanlagen für Silizium nutzt, da sich Galliumnitrid und Silizium in den Fertigungsprozessen sehr ähnlich sind. Infineon wird die ersten der neuen GaN-Wafer auf der Messe ‚electronica‘ in München (12. – 15. November) vorstellen.
