Wissenschaftlern am Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF ist weltweit zum ersten Mal gelungen, Aluminiumscandiumnitrid (AlScN) per metallorganischer chemischer Gasphasenabscheidung (MOCVD) herzustellen. Bauelemente auf der Basis von AlScN werden als die nächste Generation der Leistungselektronik angesehen. Das Fraunhofer IAF kommt somit dem Ziel, Leistungselektronik für industrielle Anwendungen auf Basis von Transistoren aus AlScN herzustellen, einen entscheidenden Schritt näher.//
Scientists at the Fraunhofer Institute for Applied Solid State Physics IAF have succeeded for the first time worldwide in producing aluminium scandium nitride (AlScN) by metall organic chemical vapor deposition (MOCVD). AlScN-based devices are regarded as the next generation of power electronics. Fraunhofer IAF is thus taking a decisive step towards its goal of manufacturing power electronics for industrial applications based on transistors made of AlScN.