Artikelarchiv

Impressionen von der Messe in Bild und Wort

Eröffnungsfeier zur Neugründung der anjo Oberflächentechnik GmbH in Trebur-Astheim

Protokoll zum 3rd Industrial Workshop über IONMET – ein integriertes Projekt im Rahmen des 6. Forschungsrahmenprogramms der EU – am 24. März in München

Heute ist vielerorts, auch in dieser Rubrik, von neuen und besseren, am besten sogar von erneuerbaren Energien für unsere Versorgung die Rede. Selten wird dagegen über den Umgang mit Energie gesprochen und davon, ob wir hier vielleicht über unsere Verhältnisse leben.

Organische, Gedruckte Elektronik und „neue“ Photovoltaik – Schlüsseltechnologien für die Überwindung der Rezession – Bericht über die Photovoltaics Beyond Conventional Silicon Europe 2009 in Dresden

Besonders bei Verdichtern von Gasturbinen, die im Betrieb Sand, Feinstaub, Salzkristalle, Eispartikel oder Vulkanasche mit der Verdichterluft einsaugen, muss mit frühzeitigem Leistungsverlust gerechnet werden. Die nach Erosionsbelastung beobachteten Leistungsverluste bei zivilen Verdichtern können mit einem Materialabtrag an der Beschaufelung erklärt werden...

Gründungsworkshop am 12. März in Jena

Erster Parlamentarischer Abend zur Plasmatechnik

Vom 25. bis 28. Juni dieses Jahres findet die High Aspect Ratio Micro Structure Technology Conference (HARMST 2009) im Delta Bessborough Hotel in Saskatoon statt, der mit etwas über 200.000 Einwohnern größten Stadt der Provinz Saskatchewan in Kanada. Saskatoon liegt in der Prärie im Westen von Kanada, 500 km östlich von Calgary. Im Sommer ist es dort angenehm warm, die Winter sind allerdings hart und kalt.

In the last years, numerous advances in the field of RF-MEMS switches have been made [1, 2]. Beside a high isolation and a low insertion loss they can also handle moderate temperatures [3]. However, most of the published switches are still unpackaged and therefore restricted to operation under lab environment due to particles and humidity being present under real conditions. To protect RF-MEMS devices efficiently, the corresponding packaging solutions need to be compact in the design and add only low RF losses [4, 5]. Therefore, the use of a packaging material with low dielectric constant and low tan ? is preferred. Another imported issue concerning any packaging approach is that during encapsulation any change compared to the original performance of the MEMS device is avoided. In particular, it is not tolerable that the process harms the MEMS device using too high or too long temperature loads. The optimum packaging process would consequently be applied at room temperature. Also, in terms of integration, it is advantageous to have the package on wafer level. This paper describes a simple glass cap packaging process for on wafer level packaging that can be applied to a MEMS device without any temperature load. Furthermore, a very high isolation Ka-Band RF-MEMS switch is presented, packaged by the glass cap and characterized before and after packaging.