Galliumnitrid: Übernahme von GaN Systems angekündigt

Laut Infineons Vorstandvorsitzenden Jochen Hanebeck stünden Anwendungen wie mobiles Laden, Stromversorgung von Rechenzentren, Solarwechselrichter für Privathaushalte und Onboard-Ladegeräte für Elektrofahrzeuge kurz vor dem Durchbruch. Die geplante Übernahme von GaN Systems stärke Infineons Position im Bereich Power-Systems, ob auf Silizium, Siliziumkarbid oder Galliumnitrid. Galliumnitrid (GaN) gilt als neues Wundermaterial. Vor allem im Bereich der Ladegeräte bietet es den Vorteil, dass aufgrund der besseren Leitfähigkeit bei kleinerer Bauweise die gleiche Leistung wie bei herkömmlichen Ladegeräten erreicht werden kann.

GaN entwickele sich laut Infineon neben Silizium und Siliziumcarbid zu einem entscheidenden Material für Leistungshalbleiter, in Verbindung mit neuen Topologien wie Hybrid Flyback und Multi-Level-Implementierungen. Es ermöglicht noch höhere Schaltgeschwindigkeiten als SiC, und GaN-Wafer lassen sich einfacher und günstiger herstellen.

Mit der Investition von rund 2 Mrd. € in eine neue Frontend-Fabrik in Kulim (Malaysia) kündigte Infineon bereits im Februar 2022 einen Ausbau seines Engagements im Bereich Wide-Bandgap an. Die ersten Wafer sollen die Fertigung in der zweiten Hälfte des Jahres 2024 verlassen und die bestehenden Wide-Bandgap-Fertigungskapazitäten von Infineon in Villach (Österreich) ergänzen.

Die geplante Übernahme von GaN Systems wird laut Infineon aus vorhandenen liquiden Mitteln finanziert. Die Transaktion unterliegt den üblichen Abschlussbedingungen und behördlichen Genehmigungen.

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