Die Sessions der Konferenz bieten mehr als 400 Vorträge, u.a. zu den Themen SiC MOSFET, Packaging, Converter-Design, Monitoring und Testing, Virtual Prototyping, IGBT, Halbleitertechnologien, Passive Bauelemente und Wärmemanagement. Wir präsentieren im Folgenden eine Auswahl interessanter Vorträge aus dem üppigen Programm, das sich in Gänze auf der PCIM-Webseite nachlesen lässt.
- Dienstag, 6. Mai 2025, 11:00 - 12:00 Uhr,
Brüssel 1, NCC Mitte
- Session: SiC MOSFET
Die einstündige Session zu Feldeffekttransistoren auf Siliziumcarbidbasis (SiC-MOSFET) wird geleitet von Prof. Dr.-Ing. Thomas Basler, Leiter der Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik an der TU Chemnitz. Es spricht Hidetaka Matsuo, Mitsubishi Electric, über die Ergebnisse von Strom-Spannungs-Tests, um die bipolare Degradation von SiC-MOSFET-Modulen und die sichere Verwendung hochzuverlässiger Body-Dioden zu untersuchen. Die Zuverlässigkeitstests wurden an 477.520 planaren SiC-MOSFETs der zweiten Generation durchgeführt und konnten bestätigen, dass die Wahrscheinlichkeit von VDS(on)-Drift bei 600-A-Modulen innerhalb von 100 ppm liegt.
Ebenfalls spricht Shunsuke Asaba, Toshiba, über das dynamische Verhalten bei der SBD-Einbettung in SiC-MOSFETs mit planarer Gate-Struktur, wenn hohe Temperaturen auftreten. Und Ainhoa Puyadena Mier, Infineon Technologies Austria, erläutert in ihrem Vortrag, wie die Effizienz und Lebensdauer von MOSFETs durch die1200-V-CoolSiC-M2-Easy-C- und XT-Verbindungstechnologie seines Unternehmens verbessert werden konnte.
Prof. Dr.-Ing. Thomas Basler (Bild: mesago)
- Mittwoch, 7. Mai, 12:50 – 13:10 Uhr,
Technology Stage, Halle 4, Stand 435
- Vortrag: Drahtbondbare Oberflächen in der Leistungselektronik (PLUS Insights)
Stefan Schmitz, CEO von BOND-IQ, Berlin, spricht über die weiterhin bestehende Bedeutung des Drahtbondens, das trotz fortschreitender Miniaturisierung und Leistungssteigerung in der Leistungselektronik nicht wegzudenken ist. Drahtbondbare Oberflächen müssen eine optimale Kombination aus elektrischer Leitfähigkeit, mechanischer Stabilität und Beständigkeit gegen Alterungs- und Korrosionsprozesse bieten. In seinem Vortrag werden die wichtigsten industriell etablierten Metallisierungen für das Drahtbonden vorgestellt, darunter chemisch Ni/Au (ENIG), chemisch Ni/Pd/Au (ENEPIG), galvanische Schichten sowie Direktkupferbonding (DCB) auf Keramiksubstraten. Neben den Materialpaarungen werden typische Fehlerquellen und deren Auswirkungen auf die Bondqualität diskutiert, und es wird aufgezeigt, welche Faktoren die Lebensdauer und Prozesssicherheit beeinflussen.
- Der Vortrag wird von unserer Fachzeitschrift präsentiert und richtet sich an Fachleute aus der Elektronikfertigung, Materialwissenschaftler sowie Interessierte aus Forschung und Entwicklung.
Stefan Schmitz (Bild: BOND-IQ)
- Donnerstag, 8. Mai, 12:30 - 12:50 Uhr,
E-Mobility & Energy Storage Stage, Stage,
Halle 6, Stand 220
- Vortrag: Enhancing xEV Systems with Analog Semiconductor Solutions
Kathleen Gao, NOVOSENSE Microelectronics, stellt aus der Perspektive analoger Halbleiterlösungen neue Trends der E-Automobilität vor, mit einem Fokus auf die Produkt- und Technologieiteration von EV Powertrains und Karosseriesteuerungssysteme. Wichtige Innovationen der automobilen Halbleitertechnologie, insbesondere im Bereich Isolations- und Gate-Treiber-Devices, kommen dazu zur Sprache. Ein Vortrag an der Schnittstelle zwischen Elektro- und Energietechnik, der sich lohnen dürfte.
Kathleen Gao (Bild: mesago)
