Das Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF ist Mitglied von GaN Valley geworden. Die Initiative vernetzt Unternehmen und wissenschaftliche Einrichtungen, um in Europa eine souveräne Entwicklung und Fertigung von Bauelementen auf Basis des III-V-Verbindungshalbleiters Galliumnitrid (GaN) zu voranzutreiben.
Ziel ist es, Mitgliedern eine Plattform für Wissenstransfers und vertiefte Zusammenarbeit bereitzustellen und auf dieser Grundlage gesicherte europäische Lieferketten zukunftsträchtiger GaN-Technologien auf den Weg zu bringen.
Als Halbleiter mit breitem Bandabstand zeichnet sich GaN neben anderen Verbindungshalbleitern durch eine Reihe von Vorteilen gegenüber Elementhalbleitern wie Silizium (Si) aus. GaN-basierte Schaltungen erleiden geringere Energieverluste, können höhere Spannungen sowie Frequenzen verarbeiten und sind robuster, z. B. können sie zuverlässig bei höheren Umgebungstemperaturen betrieben werden als Si-basierte Schaltungen.
Das Fraunhofer IAF bringt in die Initiative Wissen und Infrastruktur für die Erforschung und Entwicklung GaN-basierter Bauelemente, Schaltungen und Module für Anwendungen in der Leistungs- und Hochfrequenzelektronik ein, etwa für hochbitratige Satellitenkommunikation und Energieumwandlung bei Elektrofahrzeugen oder Wärmepumpen. Auch durch den 1000 m2 großen Reinraum ist das Institut in der Lage, von Design über Epitaxie, Prozessierung und Charakterisierung bis zum Modulbau und (Sub-)Systemintegration Leistungen entlang der gesamten Halbleiter-Wertschöpfungskette anzubieten. Das gilt sowohl für die Entwicklung einzelner Demonstratoren als auch für die Kleinserienfertigung.
