Seit der Einführung von Leistungsdioden in den frühen 1950er Jahren hat die Entwicklung von Thyristoren, MOSFETs und IGBTs die Entwicklung von Leistungshalbleitermodulen in einem breiten Anwendungsfeld ermöglicht, wobei in den letzten Jahren deren Bedeutung im Zuge der Energieumwandlung in der Elektromobilität, bei erneuerbaren Energien aber auch bei der Beleuchtungstechnik stark gestiegen ist. Bei Anwendungen für Stromstärken von 10 A bis zu 3600 A werden aufgrund ihrer niedrigen thermischen Ausdehnung, einem guten Überspannungsschutz sowie einer exzellenten Wärmeleitfähigkeit DCBSubstrate (Direct Copper Bonding) verwendet. Als Aufbau- und Verbindungstechnik (AVT)-Materialien werden dazu immer noch überwiegend bleifreie Lote, wie SnAg3,5, sowie zur Chip-Oberseitenkontaktierung die Aluminium-Bonddrähte genutzt.