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Mittwoch, 13 Januar 2021 10:59

1200V-MOSFETs in Siliziumkarbid-Technologie

Jetzt im RS-Sortiment sind die neuen MOSFETs von ON Semiconductor mit einer maximalen Drain-Source-Spannung von 1200 V. Basierend auf der Siliziumkarbid-Technologie sind diese Leistungshalbleiter deutlich leistungsfähiger als äquivalente Silizium-MOSFETs.

Rubrik: Bauelemente

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semiconductor
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