Forge Nano mit Hauptsitz in Denver (Colorado, USA) gab die Fertigstellung eines neuen Reinraums zur Demonstration und Produktion von Lösungen für die ultradünne Atomlagenabscheidung (atomic layer deposition ALD) für den 200-mm-Halbleiterwafer-Markt bekannt.
Mit der Inbetriebnahme des 2000 Quadratfuß [ca. 186 m²] großen Reinraums will sich Forge Nano auf die künftig wachsende Nachfrage nach seinen Wafer-Atomlagen-Abscheidungsanlagen (TEPHRA ALD-Cluster-Tools) vorbereiten. Der Hersteller kündigte die Ausweitung seines Halbleiter-ALD-Geschäfts bereits im Juli 2024 mit der Einführung von TEPHRA – seinem neuen 200-mm-Wafer-Cluster-Tool für die Atomlagenabscheidung im Produktionsmaßstab – an. Die Fähigkeit von Forge Nano, einzelne Wafer mit dem zehnfachen Durchsatz herkömmlicher ALD-Systeme zu beschichten, habe die Kundennachfrage erheblich gesteigert, sodass eine Erweiterung der Fertigungskapazitäten des Unternehmens sowie zusätzliche Vorführmöglichkeiten erforderlich wurden.
Bearbeitung sensibler Kundenproben möglich
TEPHRA könne konforme Metallbarrieren-Keimschichten (Metal Barrier Seed Stack) für Siliciumdurchkontaktierungen (TSVs) und Glasdurchkontaktierungen (TGVs) mit einem Seitenverhältnis (aspect ratio) von mehr als 25:1 bei Produktionsdurchsätzen realisieren, berichtete Matt Weimer, Direktor für Forschung und Entwicklung bei Forge Nano. Dieses hohe Seitenverhältnis ermögliche es TEPHRA-Anwendern, ihre Packaging-Prozesse noch stärker zu schrumpfen.
Der neue Reinraum der Klasse 10 (ISO 4), der die Bearbeitung sensibler Kundenproben ermöglicht, beinhaltet u. a. ein Messlabor für Dünnschichtmessungen und Partikelprüfungen. Der restliche Teil des Reinraums beherbergt Forge Nanos interne TEPHRA-Anlage und bietet Platz für den Bau mehrerer Kundenanlagen, die sowohl für Demonstrationen als auch für die Fertigung genutzt werden können. Die TEPHRA-Plattform basiert auf der ALDx-Technologie von Forge Nano, die ultradünne, gleichmäßige, lochfreie Schichten mit hohem Durchsatz für die Single-Wafer-Bearbeitung bietet und für die Herstellung spezieller Halbleiteranwendungen auf 200-mm-Wafern ausgelegt ist. TEPHRA ist in einer Reihe von Konfigurationen mit optional vierseitigen, sechsseitigen und achtseitigen Cluster-Plattformen erhältlich. TEPHRA kann Wafer bis zu 200 mm zwischen 80 und 300 °C mit sechs Prozessvorläuferkanälen (Precursor Channels) und speziellen Kammern für Oxid-, Nitrid- und Metallabscheidungen verarbeiten (Abb. 1). TEPHRA ALD-Cluster-Tools werden laut Hersteller voraussichtlich ab Anfang 2025 an Kunden ausgeliefert.
Abb. 1: TEPHRA-Cluster mit 4 Prozess-Modulen
