Galliumacetylacetonat von weiterem Anbieter verfügbar

Die Struktur des sehr stabilen metallorganischen Komplexes hat Gallium im Zentrum, das von drei Acetylacetonat-Liganden umgeben ist. Durch Erhitzen und damit einhergehender Zersetzung kann Ga(acac)3 des Anbieters zur Herstellung einer hochreinen und gleichmäßigen Dünnschichtversion von Galliumoxid (Ga₂O₃) verwendet werden. Diese Version eignet sich aufgrund ihres extrem großen Bandabstands (ca. 4,8 eV) insbesondere als Halbleiter in der Leistungselektronik. Durch Kombination mit Schwefel lassen sich Galliumsulfid (Ga₂S₃) Quantenpunkte mit einem Bandabstand von ca. 3,3 eV generieren. Typische Anwendungsbereiche sind hier Photonik und Optoelektronik.

Ga(acac)3 dient außerdem als thermisch stabiler Ersatz für Trimethylgallium (TMG) in Hochtemperatur-Abscheidungsprozessen. Es zersetzt sich bei höheren Temperaturen und ist, im Gegensatz zu TMG, nicht pyrophor und damit sicherer in der Handhabung.