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Dokumente
Neue Literatur
Jahr | 2010 |
HeftNr | 3 |
Dateigröße | 82 KByte |
Seiten | 657 |
Es muss nicht immer Löten sein
Jahr | 2015 |
HeftNr | 5 |
Dateigröße | 297 KByte |
Seiten | 873 |
Aktuelles 05/2015
Jahr | 2015 |
HeftNr | 5 |
Dateigröße | 1,691 KByte |
Seiten | 876-891 |
Erste Highlights der SMT Hybrid Packaging
Jahr | 2015 |
HeftNr | 5 |
Dateigröße | 1,244 KByte |
Seiten | 897-901 |
Automobilanwendungen erweitert und optimiert
Jahr | 2015 |
HeftNr | 5 |
Dateigröße | 659 KByte |
Seiten | 902-904 |
Automobilanwendungen erweitert und optimiert
Jahr | 2015 |
HeftNr | 5 |
Dateigröße | 659 KByte |
Seiten | 902-904 |
Funktionale Modulintegration weiter vorangetrieben
Jahr | 2015 |
HeftNr | 5 |
Dateigröße | 827 KByte |
Seiten | 905-908 |
Hightech-Transistor auf Silicen-Basis entwickelt
Das zum Nationalen Forschungsrat CNR gehörende Istituto di Microelettronica e Microsistemi hat zusammen mit der University of Texas einen Transistor auf Silicen-Basis entwickelt. Als Vorteil gilt vor allem die Möglichkeit, dieses Verstärkerelement in stark miniaturisierte nanoelektronische Geräte integrieren zu können. Völlig neue Möglichkeiten für nanotechnische Anwendungen sind denkbar.
Jahr | 2015 |
HeftNr | 5 |
Dateigröße | 295 KByte |
Seiten | 909 |
Forscher wollen Silizium durch Germanium ersetzen
Forscher der Ohio State University in den USA arbeiten daran, das chemische Element Germanium als einen potenziellen Ersatz für Silizium bei elektronischen Bauteilen zu etablieren. Dies käme einem Revival des Elements gleich, denn bereits in den 1940er-Jahren wurden Transistoren mit Germanium hergestellt. Das vermeintliche ,Wundermaterial' könnte die Elektroindustrie revolutionieren.
Jahr | 2015 |
HeftNr | 5 |
Dateigröße | 275 KByte |
Seiten | 910 |
FBDi-Informationen 09/2012
Jahr | 2015 |
HeftNr | 5 |
Dateigröße | 323 KByte |
Seiten | 911-912 |