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Donnerstag, 14 Januar 2021 10:59
Ein neues Modell seiner vierten Generation von 600-V-Fast-Body-Diode-MOSFETs der EF-Serie präsentiert Vishay Intertechnology. Der neue n-Kanal-MOSFET SiHH070N60EF bietet im Vergleich zur Vorgängergeneration einen um 29 % geringeren On-Widerstand und eine um 60 % geringere Gate-Ladung. Durch seine hohe Energieeffizienz eignet er sich bestens für Stromversorgungsanwendungen in der Telekommunikation, Industrie und im Computerbereich.
Rubrik:
Bauelemente
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