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Donnerstag, 08 Juli 2021 14:34

Für Leistungsanwendungen: Hocheffiziente Keramikkondensatoren

Geschätzte Lesezeit: 1 - 2 Minuten
Vier-Chip-Verbindung der KONNEKT-Kondensatoren von KEMET Vier-Chip-Verbindung der KONNEKT-Kondensatoren von KEMET

Die KONNEKT-Technologie von KEMET bringt eine hoch dichte Gehäusetechnologie, die es ermöglicht, Komponenten ohne Metallrahmen miteinander zu verbinden und damit den ESR-, ESL- und thermischen Widerstandswert von Kondensatoren zu reduzieren. Dabei wird ein innovatives TLPS- (Transient Liquid Phase Sintering) Material verwendet, um eine oberflächenmontierbare Multi-Chip-Lösung zu schaffen.

Die C0G-Kondensatoren, KC-Link mit KONNEKT -Technologie genannt, werden in BME-Technik (Base Metal Electrodes) gefertigt, weisen keinen DC-Bias und keinen Piezo-Effekt auf und zeigen nur minimale C-Wert-Änderungen über der Temperatur (+30ppm/°C). Sie sind bis 150 °C einsetzbar und als Commercial und Automotive Ausführung erhältlich. Sie sind erhältlich im Bereich von 14-880 nF und in Spannungen von 500 bis 2000 V. Die U2J KONNEKT-Kondensatoren verwenden ebenfalls ein Klasse-I Keramikmaterial, wie NP0 (C0G), mit TK N750 (-750 +120 ppm/°C). Sie erweitern damit den C-Bereich gegenüber C0G auf 940 nF und 1,4 µF bei 50 V. Die X7R KONNEKT-Kondensatoren bieten höhere Kapazität und Spannung. Die neueste Generation der Größen 1812 und 2220 verfügt zudem über eine Flex-Terminierung, die die Biegefähigkeit und das Temperaturwechselverhalten verbessert. Als X7R Klasse-II Bauteile zeichnen sie sich durch minimale Kapazitätsänderung (±15%) bei Umgebungstemperaturen von -55 bis +125 °C aus. Der Wertebereich reicht von 2,4 nF bis hinauf zu 20µF und Spannungen von 25 bis 3000 V, auch in Commercial und Automotive Versionen.

Aufbau der Bondkonstruktion für KONNEKT-KondensatorenAufbau der Bondkonstruktion für KONNEKT-Kondensatoren

Für höhere Performance gibt es die meisten Versionen auch in vertikaler Chip-Anordnung. Sie werden als Low-Loss Variante bezeichnet, da sie nochmals eine Verbesserung der ESR- und ESL-Werte erreichen, womit höhere Rippleströme möglich sind. Mögliche Applikationen sind Wide Bandgap-, SiC- und GaN-Systeme, Data Center- und Switched Tank Converter, Wireless Charging, Photovoltaik, Inverter, DC-Link- und Snubber-Anwendungen.

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