Die LOPEC (Large-area, Organic & Printed Electronics Convention) ist die wohl bedeutendste Fachmesse und Konferenz für flexible, organische und gedruckte Elektronik. Jedes Jahr bringt sie Akteure aus der Forschung, Produktion und Anwendung aus allen Kontinenten in der bayrischen Metropole München zusammen. Die Kombination aus Messe und Konferenz ermöglicht es den Besuchern, Zukunftstechnologien aus dem Bereich kennenzulernen und ihr Potential ermessen zu können. Gerade die Konferenzbeiträge aus 22 Ländern weckten großes Interesse und waren bestens besucht.
170 Konferenzbeiträge werden 2024 geboten, und wir bei der PLUS studieren schon eifrig das Programm, um besonders vielversprechende Vorträge und Panel-Diskussionen auszuwählen.
In den kommenden Tagen werden wir weitere Artikel und Innovationen der LOPEC 2024 hier präsentieren. Bleiben Sie auf dem Laufenden.
Messeinnovationen: Gedruckte und organische Elektronik präsentiert ihr Potential
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Vishay Intertechnology stellt derzeit 17 neue 650-V SiC-Schottky-Dioden der Generation 3 vor. Sie zeichnen sich durch ein Merged-PIN Schottky-Design (MPS) aus und kombinieren hohe Stoßstromfestigkeit mit niedriger Vorwärtsspannung, geringer kapazitiver Ladung und kleinem Sperrstrom, um die Effizienz und Zuverlässigkeit in Schaltnetzteil-Designs zu erhöhen. Diese SiC-Dioden kommen als Versionen mit 4bis 40A im TO-22OAC 2L und TO-247AD 3L für Durchsteckmontage sowie D2PAK 2L (TO-263AB 2L) für Oberflächenmontage. Die MPS-Struktur reduziert die Vorwärtsspannung um 0,3V im Vergleich zur vorherigen Generation, während das Produkt aus Vorwärtsspannung und kapazitiver Ladung um 17% geringer ist.
Auf dem IEEE IEDM 2021 (International Electron Devices Meeting) im Dezember demonstrierte das belgische Nanoelektronik-Forschungszentrum Imec die Ko-Integration von High-Performance Schottky-Barrier-Dioden und Depletion-Mode HEMTs auf einer a p-GaN 200-V GaN-on-SOI Plattform mit 200-mm Substrat. Diese Kombination ermöglicht höhere Funktionalität und Performance für GaN-Leistungs-ICs und die monolithische Integration der Leistungsschaltungen mit den Treiberfunktionen. Das Ergebnis sind kleinere, schnellere und effizientere DC/DC-Wandler und Point-of-Load Konverter.
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